Патенты автора Белянченко Сергей Александрович (RU)

Изобретение относится к вакуумной фотоэмиссионной электронике и может быть использовано при конструировании приборов и устройств ночного и ультрафиолетового видения. Фотоэлектронный умножитель состоит из фотокатода на основе полупроводниковых, в том числе и наноструктурированных материалов, динодов на основе алмазных пленок, экранирующих (барьерных) электродов и коллектора, и представляет собой планарную интегральную электронную схему, реализующую на изолирующей подложке, например сапфире, функцию 2-спектрального фотоэлектронного умножителя. Фотокатод выполнен в виде двуслойной пленочной структуры полупроводник/алмаз, где в качестве полупроводника могут быть использованы пленки кремния либо германия, в том числе и наноструктурированные, а в качестве алмаза - пленки поликристаллического алмаза слабо легированного акцепторами, например бором. Технический результат - уменьшение габаритов устройства, повышение коэффициента усиления, реализация в одном кристалле функций как раздельного, так и одновременного детектирования излучений в ИК- и УФ-диапазонах соответственно, в спектральном диапазоне 1,25-1,55 мкм - область прозрачности атмосферы, и в спектральном диапазоне 0,15-0,27 мкм - солнечно-слепая область. 1 ил.

Изобретение относится к фотокатодным узлам вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-0,45 мкм. Технический результат - расширение спектральной области чувствительности к электромагнитному излучению. Фотокатодный узел состоит из оптического окна для входного излучения и фотокатода, который выполнен в виде сплошной либо сетчатой мембранной конструкций на основе поликристаллической алмазной пленки, слаболегированной акцепторами, или сплошной поликристаллической алмазной пленки, слаболегированной акцепторами с нано- и микроструктурированной поверхностью, и многощелочного фотокатода, содержащего цезий и сурьму, расположенного на тыльной стороне входного оптического окна в виде пленки наноразмерной толщины в 10-30 нм на расстоянии 0,1-1,0 мм от приемной поверхности алмазного фотокатода. 1 ил.
Изобретение относится к области электронной техники. Технический результат - расширение в длинноволновую область диапазона спектральной чувствительности к электромагнитному излучению, повышение токовой чувствительности и квантовой эффективности. Фотоэлектронный умножитель представляет собой гибридную сборку многоэлементного устройства в составе входного оптического окна, алмазного фотокатода, динодов и анода. Пленка многощелочного фотокатода наноразмерной толщины расположена на выходной поверхности оптического окна, поверхность алмазного фотокатода нано(микро)структурирована и слабо легирована акцепторами, поверхность динодов нано(микро)структурирована и покрыта алмазной пленкой, слабо легированной акцепторами.

 


Наверх