Патенты автора Коробова Наталья Егоровна (RU)
Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации. Осуществляют нанесение слоя халькогенидного материала системы тройных теллуридов германия и сурьмы Ge-Sb-Те методом вакуумно-термического испарения взрывного типа. В качестве халькогенидного материала используют смесь стехиометрических составов GeSb2Te4 и Ge2Sb2Te5 при соотношении 1:1, механически активированную перед нанесением слоя указанного халькогенидного материала. Перед нанесением слоя указанного халькогенидного материала в предварительно откаченную до давления 3,5⋅10-6 Па вакуумную камеру помещают обезжиренную, подвергнутую термическому окислению со сформированным подслоем оксида кремния кремниевую подложку, затем на поверхность подслоя оксида кремния методом вакуумно-термического испарения наносят нижний алюминиевый слой. Нанесение слоя указанного халькогенидного материала методом вакуумно-термического испарения взрывного типа проводят при давлении в рабочем объеме 10-6 Па, температуре подложки 30°С, температуре испарителя 600°С и скорости испарения шихты 1-2 нм/с. Обеспечивается разработка экономичного способа получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Sb-Te, обладающих повышенной стабильностью характеристик, информационным быстродействием и невысокой потребляемой мощностью. 1 пр.
Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники. Используют модифицированный висмутом халькогенидный полупроводниковый материал тройного состава Ge2Sb2Te5. Упомянутый материал подвергают механической активации. Осуществляют неравновесное высокочастотное ионно-плазменное распыление материала в атмосфере рабочего газа смеси газа аргона и водорода при соотношении 90:10. Осаждение осуществляют на диэлектрический слой в условиях среднего вакуума при давлении в камере от 0,5 до 1,0 Па и высокочастотном напряжении поля амплитудой от 400 до 470 В. Технический результат заключается в повышении информационного быстродействия, уменьшении потребляемой мощности.1 пр.
Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок и модулей на основе печатных плат с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - создание способа производства максимально компактных, надежных, быстродействующих и более экономичных в изготовлении электронных узлов радиоэлектронной аппаратуры за счет отсутствия процессов пайки и сварки в изготовлении электронных узлов. Достигается за счет изготовления электронных узлов радиоэлектронной аппаратуры на гибком носителе и включает формирование рисунка на фольгированном полимере методом фотолитографии, установку бескорпусных кристаллов активной стороной вниз и чип-компонентов на основание с помощью полимерного лака, герметизацию, получение отверстий в полимерной структуре до выводов электронных компонентов методом плазмохимического травления, монтаж компонентов методом магнетронного напыления металлов в вакууме, наращивание необходимого количества слоев методами фотолитографии по полимерному фотолаку, формирование крупных внешних контактных площадок для возможности последующего монтажа на печатные платы из любого материала, как стеклотекстолита, так и из керамики, полиимида и других материалов. 13 ил.
