Патенты автора КАБИР, Мохаммад Шафикул (SE)
Изобретение может быть использовано при изготовлении аналоговых и/или цифровых электронных схем. Наноструктурное устройство (105) с множеством наноструктур (101) получают путём осаждения нижнего слоя (103), содержащего кристаллографическую структуру зерен с первым средним размером, на подложке (102), последующего осаждения слоя (104) катализатора, содержащего кристаллографическую структуру зерен со вторым средним размером, который больше первого. Полученный пакет слоёв нагревают до температуры, достаточной для роста наноструктур и взаимной диффузии между нижним слоем (103) и слоем (104) катализатора. Затем подают газ, содержащий реагент, для контакта со слоем (104) катализатора. Нижний слой (103) осаждают распылением или испарением. Наноструктуры (101) содержат основание, прилегающее к слою (104) катализатора, кончик, содержащий материал из слоя (104) катализатора, и тело между ними, содержащее углерод. Материал нижнего слоя (103) имеет более высокую точку плавления, чем материал слоя (104) катализатора. Упрощается процесс изготовления наноструктур за счёт уменьшения количества стадий и создания благоприятных условий для роста, кристаллизации и перекристаллизации. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 9 ил.
