Патенты автора ТЕЛЛЕС ОЛИВА, Орасио (BE)
Изобретение относится к синтезу материала, в частности алмаза и полупроводника типа Si-Ge, посредством химического осаждения из паровой фазы (CVD). Синтез алмаза осуществляют путем создания плазмы в вакуумной камере около субстрата, выполненного с возможностью размещения на нем синтезируемого алмаза, при этом в камеру вводят H2 и вещество-носитель углерода для получения в камере газа, содержащего вещества-носители атомов реактивного углерода в виде радикалов или молекул с незаполненными электронными оболочками, из которых затем синтезируется указанный алмаз. Электромагнитные спектры поглощения и неупругого рассеяния синтезируемого алмаза используют для отбора частот поглощения, способствующих протеканию реакций, приводящих к образованию синтезируемого материала. В ходе способа генерируют энергетические лучи в виде фотонных пучков с энергией, определяемой указанными частотами поглощения и неупругого рассеяния, причем указанные фотонные пучки инжектируют в плазму, где вещества-носители указанных атомов реактивного углерода поглощают эти фотоны, имеющие энергию, соответствующую энергетическим состояниям алмаза. Обеспечивается более высокая скорость осаждения и обеспечивается улучшенное качество получаемого материала. 3 н. и 25 з.п. ф-лы, 12 ил.
