Патенты автора Шампанский Игорь Анатольевич (RU)
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Устройство получения трихлорида галлия высокой чистоты включает реактор 1, ректификационную колонну 14 с рубашкой обогрева 21, узел «инертного дыхания» 17, пост выгрузки и фасовки готового продукта 20. Реактор имеет рубашку обогрева 6 с вводом 7 и выводом 8 для теплоносителя, вводы с кранами 2, 4 и сифонами 3, 5 для подачи металлического галлия и газообразного хлора в среде инертного газа. Реактор снабжен портом 10 подвода вакуума, соединенным с каналом 11 подвода вакуума, снабженным кранами и расположенным с внешней стороны реактора. Канал подвода вакуума 11 соединен каналом-перемычкой 12 с каналом подачи инертного газа 9 в средней части их протяженности на их участках между кранами. Способ получения трихлорида галлия включает взаимодействие газообразного хлора с расплавом металлического галлия, ректификацию полученной реакционной массы при обогреве, выгрузку и фасовку готового продукта. До введения металлического галлия в зону реакции осуществляют его нагрев до температуры 210°C. Галлий вводят в зону реакции под воздействием вакуума. Зону ректификации обогревают, поддерживая температуру от 95 до 110°C. Осуществляют орошение путем возврата части готового продукта при данном режиме. Изобретение позволяет повысить безопасность процесса, исключить перегрев продукта и ускорить время его получения. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
