Изобретение относится к способу управления импульсным режимом генерации лазерного излучения в лазерной установке на основе твердотельного лазера на кристалле Nd:YAG с диодной накачкой активной среды. При реализации способа обеспечивают подачу на амплитудный модулятор импульсного низкочастотного управляющего напряжения относительно включения питания лазерного диода с временной задержкой Δt, определяемой из условия Δt≥Δtмин=100(11-5α)tЖ, где Δtмин - минимальная величина времени задержки подачи на амплитудный модулятор импульсного низкочастотного управляющего напряжения, tЖ - время жизни активного центра лазерной среды на верхнем уровне рабочего перехода, а
α
=
P
н
а
к
P
н
а
к
п
о
р
- параметр накачки, показывающий превышение мощности накачки
P
н
а
к
над пороговым значением
P
н
а
к
п
о
р
. Область изменения величины
α
для осуществления ровной пачки импульсов находится в пределах
1,6
≤
α
≤
2,0
. Технический результат заключается в обеспечении стабильного импульсного режима генерации лазерного излучения. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.