Патенты автора Бондарев Дмитрий Андреевич (RU)
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения скорости и температуры потока неоднородных, химически агрессивных и абразивосодержащих газов. Предлагается устройство в виде тепловой микросистемы, выполненной из полупроводникового материала и состоящей из площадки круглой формы и конструктивно связанной с ней ножки, содержащей по крайней мере одно сквозное отверстие. Поверхность круглой площадки с двух сторон в пределах периметра содержит электропроводящий слой, в состав которого входят атомы Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr с внешними электрическими выводами и охранное кольцо в виде мезопланарной структуры. Также на ножке в пределах периметра содержится электропроводящий слой, в состав которого входят атомы Ni, Au, Ta, W, Al, Ti, Sb, Nb, Pt, Cr, Hf, Mo, Zr с внешними электрическими выводами и охранное кольцо в виде мезопланарной структуры. Кроме того, тепловая микросистема может содержать элементы электрической коммутации. Технический результат - повышение точности и достоверности получаемых результатов. 2 ил.
Использование: для получения структур (деталей) аксиальной конфигурации. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает использование нескольких полупроводниковых подложек, на всех поверхностях которых создают электропроводящий слой, собирают подложки в виде пакета, а электрический разряд инициируют в режиме образования расплава, перед инициированием разряда в пакете формируют по крайней мере одно сквозное отверстие, обладающее заданной формой, геометрическими размерами и аксиальной симметрией и ось которого ориентирована строго параллельно профилирующему электроду, а последующее инициирование электрического разряда в режиме образования расплава осуществляют в условиях перемещения профилирующего электрода вокруг отверстия по заданной траектории, повторяющей его контур. Технический результат: обеспечение возможности повышения универсальности способа эрозионного копирования карбидокремниевых структур. 1 ил.
