Патенты автора ЛИ Южуо (DE)
Изобретение относится к композиции для химико-механической полировки. Описана композиция для химико-механичекой полировки, содержащая(А) одно или более соединений формулы (1)
где пары пунктирных линий в формуле (1) либо каждая обозначает двойную связь, либо обозначает одинарную связь, где (i) когда каждая пара пунктирных линий в формуле (1) обозначает двойную связь, один из R1 и R2 представляет собой водород и другой из R1 и R2 выбирается из группы, включающей хлор, бром, алкил, содержащий от трех до шести атомов углерода, бензоил и -COOR3, где R3 выбирается из группы, включающей алкилы, содержащие от трех до шести атомов углерода, или R3 представляет собой заместитель, содержащий структурную единицу, выбранную из группы, включающей -(СН2-СН2-O)n-Н и -(CH2-CH2-O)n-CH3, где n, в каждом случае, представляет собой целое число в интервале от 1 до 15, или R1 и R2 оба независимо выбираются из группы, включающей бром и хлор, и (ii) когда каждая пара пунктирных линий в формуле (1) обозначает одинарную связь, R1 и R2 представляют собой водород, или один из R1 и R2 представляет собой водород, и другой из R1 и R2 выбирается из группы, включающей хлор, бром, алкил, содержащий от трех до шести атомов углерода, бензоил и -COOR3, где R3 выбирается из группы, включающей алкилы, содержащие от трех до шести атомов углерода, или R3 представляет собой заместитель, содержащий структурную единицу, выбранную из группы, включающей -(СН2-СН2-O)n-Н и -(СН2-СН2-O)n-СН3, где n, в каждом случае, представляет собой целое число в интервале от 1 до 15, или R1 и R2 оба независимо выбираются из группы, включающей бром и хлор, причем общее количество одного или нескольких соединений формулы (1) лежит в диапазоне от 0,0001 до 1 мас.% на основе общей массы соответствующей композиции для химико-механической полировки,(В) неорганические частицы, органические частицы, или их композит, или смесь, которые находятся в форме кокона, где общее количество катионов, выбранных из группы, включающей магний и кальций, составляет менее 1 части на миллион на основе общей массы соответствующей композиции. Также описаны способ получения полупроводникового устройства, применение соединения формулы (1). Технический результат: предложена композиция для химико-технической полировки, представляющая собой стабильную дисперсию, в которой не происходит разделение фаз. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.
Группа изобретений относится к полимерной химии и может быть использована в полупроводниковой промышленности. Композиция для химико-механической полировки содержит (А) абразивные частицы диоксида церия; (В) один или более полимеров. Каждая макромолекула полимеров содержит (i) одну или более анионных функциональных групп и (ii) одну или более структурных единиц -(AO)a-R. А представляет собой CxH2x, x = 2-4; а = 5-200. R представляет собой водород или разветвленную или линейную алкильную группу, имеющую от 1 до 4 атомов углерода. В полимере сумма молярных масс всех структурных единиц (ii) составляет по меньшей мере 50% от молярной массы указанного полимера (В). Для получения полупроводникового устройства осуществляют химико-механическую полировку подложки в присутствии композиции для химико-механической полировки. Полимер (В) применяют для подавления агломерации частиц, содержащих диоксид церия, и/или для установления дзета-потенциала частиц, содержащих диоксид церия. Обеспечиваются повышение эффективности полировки, высокая скорость удаления диоксида кремния и регулируемая селективность. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 ил., 13 табл.
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности. Композиция содержит частицы оксида церия, белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы, и водную среду. Композиция проявляет улучшенные полирующие характеристики. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 табл.
Очищающая композиция после химико-механического полирования (после-СМР), содержащая: (А) соединение, представляющее собой цистеин, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное, (В) эритрит, (С) водную среду и (Е) по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество, и ее применение для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих электропроводящие слои (такие как медные слои), электроизолирующие диэлектроизолирующие диэлектрические слои (такие как слои диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью) и барьерные слои (такие как слои тантала, нитрида тантала, нитрида титана или рутения), т.е. изобретение относится к применению очищающей композиции после СМР для удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол после СМР. 6 н. и 20 з.п. ф-лы, 5 табл., 3 ил.
Изобретение относится к водным полирующим композициям для полирования материалов подложек электрических, высокой точности механических и оптических устройств. Водная полирующая композиция содержит (A) по меньшей мере одно растворимое в воде или диспергируемое в воде соединение, выбранное из солей N-замещенных N'-гидрокси-диазений-оксидов, и (В) абразивные частицы, содержащие оксид церия или состоящие из него. Описывается также способ полирования материалов до достижения желательной плоскостности с использованием указанной композиции. Предложенная полирующая композиция обеспечивает повышенную оксид/нитрид-селективность и улучшенную глобальную и локальную плоскостность отполированных материалов электрических, механических и оптических устройств. 3 н. и 6 з. п. ф-лы, 2 табл., 6 пр.
Изобретение относится к водной полирующей композиции, имеющей pH от 3 до 11. Композиция содержит (А) по меньшей мере один тип абразивных частиц, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (В) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью. Абразивные частицы (А) являются неорганическими частицами, содержащими или состоящими из диоксида церия. Композиция содержит (B) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент, выбранный из группы растворимых в воде конденсированных фосфатов, причем растворимый в воде конденсированный фосфат выбран из группы, состоящей из метафосфатов общей формулы I:
и полифосфатов общей формулы II и III:
где М является аммонием, натрием и калием и индекс n равен от 2 до 10000. Композиция содержит (C) по меньшей мере один компонент на основе многоатомного спирта, выбранный из группы (с1) многоатомных спиртов, причем многоатомный спирт (с1) содержится в количествах от 0,005 до 5 мас.% в пересчете на массу указанной композиции, (с2) смеси, состоящей из (с21) по меньшей мере одного многоатомного спирта и (с22) по меньшей мере одного растворимого в воде или диспергируемого в воде полимера, (с3) смесей (с1) и (с2). Описан также способ полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств и применение водной полирующей композиции для изготовления электрических, механических и оптических устройств. Технический результат – обеспечение композиции, имеющей улучшенную избирательность в отношении оксида кремния по сравнению с нитридом кремния даже более 50 с получением отполированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 табл., 30 пр.
Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и к ее применению для полирования подложек для полупроводниковой промышленности. Способ изготовления полупроводниковых устройств включает химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП), включающей: (A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или их композит, (B) по меньшей мере один тип окислительного реагента, (C) по меньшей мере один тип органического соединения, выбранного из группы, состоящей из альфа-аминокислоты или ее соли, органического соединения, включающего от двух до пяти карбоксигрупп (-СООН), или его соли, моно-, ди-, триалканоламина или его соли, простого аминоэфира, включающего дополнительную аминогруппу, гидроксигруппу, алкоксигруппу, карбоксильный фрагмент, или его соли, органического соединения, включающего от двух до четырех гидроксигрупп (-ОН), или его соли, гетероциклического соединения, включающего 5- или 6-членное кольцо, содержащее от 1 до 3 атомов азота в качестве атомов-элементов кольца, или его соли, N,N,N′,N′-тетракис(2-гидроксипропил)этилендиамина, 4-(2-гидроксиэтил)морфолина, пентаметилдиэтилентриамина, соли или аддукта триэтаноламина (2,2′,2″-нитрилотрис(этанола)) и 4-[(2-этилгексил)амино]-4-оксоизокротоновой кислоты и 2,2′-диморфолинодиэтилового эфира, и (D) водную среду, в котором значение рН ХМП композиции находится в диапазоне от 2,5 до 5,5. Предложенная композиция для ХМП обеспечивает улучшенные характеристики полировки. 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 35 пр.
Изобретение относится к композиции для химико-механической полировки, применяемой при изготовлении интегральных схем и микроэлектромеханических устройств. Композиция содержит (А) по меньшей мере один тип неорганических частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В), (Б) по меньшей мере один тип полимерных частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В), (В) жидкую среду, где дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и дзета-потенциал полимерных частиц в жидкой среде (В) являются положительными. Полимерные частицы (Б) представляют собой сополимер, содержащий стирол и/или дивинилбензол и метакриламид, и имеют по меньшей мере один тип функцинальной группы, которая является диалкиламино-группой или имидазольной группой, причем массовое отношение полимерных частиц (Б) к неорганическим частицам (А) находится в интервале от 0,001 до 0,06, а величина рН композиции находится в интервале от 4 до 6. Описан также способ получения композиции для химико-механической полировки, способ производства полупроводниковых устройств, включающих химико-механическую полировку и применение композиции для химико-механической полировки поверхностей субстратов, используемых в полупроводниковой промышленности и для устройств с узкощелевой изоляцией. Технический результат - улучшение характеристик полировки, особенно в отношении интенсивности съема материала и шага снижения высоты. 5 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 табл., 9 пр., 4 ил.
Изобретение относится к новой водной полирующей композиции для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния, а также необязательно содержащих пленки нитрида кремния. Указанная водная полирующая композиция содержит (A) по меньшей мере один тип абразивных частиц, (В) от 0,001 до 5,0 мас.% по меньшей мере одного растворимого в воде полимера, (С) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент. Абразивные частицы (А) содержат или состоят из диоксида церия, положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (C) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью. Компонент (B) по меньшей мере это один растворимый в воде полимер, выбран из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов. Изобретение относится и к способу полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств с применением указанной водной полирующей композиции. Полирующая композиция по изобретению обладает значительно улучшенной селективностью оксид/поликремний и обеспечивает получение полированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 табл., 9 пр.
