Патенты автора ДЮКРЮЭ Кларисс (FR)
Изобретение относится к электротехнике. Технический результат состоит в уменьшении дефектности и повышении напряжения пробоя. Способ изготовления магнитного туннельного перехода для ячейки магнитной оперативной памяти (MRAM), содержащего первый ферромагнитный слой, туннельный барьерный слой и второй ферромагнитный слой, содержит: образование первого ферромагнитного слоя; образование туннельного барьерного слоя; и образование второго ферромагнитного слоя; в котором упомянутое образование туннельного барьерного слоя содержит осаждение слоя металлического Mg; и окисление осажденного слоя металлического Mg для того, чтобы преобразовать металлический Mg в MgO. Этап образования туннельного барьерного слоя выполняют, по меньшей мере, дважды, таким образом туннельный барьерный слой содержит, по меньшей мере, два слоя MgO. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении величины спин-поляризованного записывающего тока при магнитосопротивлении 100% или больше. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства содержит магнитный туннельный переход, содержащий верхний электрод; первый ферромагнитный слой, имеющий первое направление намагниченности; второй ферромагнитный слой, имеющий второе направление намагниченности, которое может регулироваться относительно первого направления намагниченности; туннельный барьерный слой между первым и вторым ферромагнитными слоями; и внешний слой, причем второй ферромагнитный слой находится между внешним слоем и туннельным барьерным слоем; причем магнитный туннельный переход дополнительно содержит магнитный или металлический слой, на который осажден второй ферромагнитный слой; и причем второй ферромагнитный слой имеет толщину между 0,5 нм и 2 нм, и выполнен с возможностью обеспечения магнитного туннельного перехода с магнитосопротивлением, которое больше чем 100%, посредством того, что он был подвергнут отжигу при температуре, составляющей от 280°C до 360°C, в течение периода времени отжига, составляющего от 30 мин до 2 ч 30 мин, в приложенном магнитном поле, составляющем от 0,5 Тесла до 2 Тесла. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил.
