Патенты автора ВЕЙХЕР Ян (PL)

Изобретение относится к подложке для исследований усиленного поверхностью комбинационного рассеяния. Подложка содержит полупроводниковую поверхность с формированными на ней нитевидными кристаллами, покрытыми пленкой металла, выбранного из группы, состоящей из серебра, золота, платины, меди и/или их сплавов. В качестве материала для полупроводниковой поверхности использован смешанный нитрид алюминия, галлия и индия. Каждый сформированный нитевидный кристалл имеет внутри линейный дефект. Плотность поверхности нитевидных кристаллов, имеющих внутри линейный дефект, составляет от 108/см2 до 1010/см2, их длина нитевидных кристаллов составляет от 0,2 мкм до 2,0 мкм, а диаметр нитевидных кристаллов - от 40 нм до 150 нм. Отношение длины нитевидных кристаллов, имеющих внутри линейный дефект, к их диаметру составляет от 5 до 50, а толщина пленки металла на полупроводниковой поверхности составляет от 50 нм до 150 нм. 12 з.п. ф-лы, 9 ил., 3 пр.

 


Наверх