Патенты автора Карпова Дарина Валерьевна (RU)
Изобретение относится к литографическим шаблонам. Активный литографический шаблон характеризуется тем, что он содержит элементы в виде островков и окон, причем элементы в виде островков выполнены с возможностью совершать микромеханическое движение на расстояния от 1 нм до 500 мкм на этапе формирования шаблона и/или на этапе нанесения слоя/слоев целевого материала через данный шаблон, причем указанное движение обусловлено релаксацией механических напряжений в островках шаблона, механические напряжения, в свою очередь, вызваны протеканием физической и/или химической реакции в веществе островков шаблона, инициируемой внешним физическим и/или химическим воздействием. Изобретение обеспечивает увеличение максимальной допустимой толщины наносимого через шаблон материала и увеличение технологичности создания и использования шаблона. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 28 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОВОДЯЩИХ СЕТЧАТЫХ МИКРО- И НАНОСТРУКТУР И СТРУКТУРА ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ // 2593463
Изобретение относится к микро- и наноструктурированным покрытиям, применяемым, в частности, в области оптически прозрачных проводящих покрытий. Технический результат - эффективное формирование проводящей структуры сетчатой формы, обеспечивающей функцию прозрачных проводящих покрытий, на поверхности обрабатываемой подложки на этапе формирования отсоединяемого проводящего слоя, а также посредством перенесения указанного проводящего слоя на обрабатываемую подложку, являющуюся итоговым носителем сетчатой проводящей структуры. Достигается тем, что на подложке, на которой в форме перколированной сетки расположен несущий слой, имеющий в своем составе, как минимум, один слой из, как минимум, одного металлического или неметаллического проводящего материала или комбинации данных материалов, осуществляется формирование, как минимум, одного отсоединяемого проводящего слоя. Далее обеспечивается механическое соединение данной подложки со второй подложкой, разделение первой и второй подложек, причем, как минимум, часть отсоединяемого проводящего слоя отделяется от несущего слоя и остается на второй подложке в виде, как минимум, части проводящей сетки. Первая подложка может быть использована повторным образом. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к химической промышленности, микроэлектронике и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении прозрачных проводящих покрытий, светопоглощающих и светопреобразующих слоёв для оптических и фотовольтаических устройств, самоочищающихся поверхностей, биометрических материалов, мембран, катализаторов. Сетчатую микро- и наноструктуру получают путём формирования на подложке слоя вещества, образующего трещины в процессе химической и/или физической реакции, и использования полученного слоя в качестве шаблона для задания геометрии микро- и наноструктуры. Полученная сетчатая микро- и наноструктура содержит проводящий или диэлектрический слой, выполненный в виде единой ажурной структуры, соответствующей геометрии трещин. Изобретение позволяет не использовать сложные методы литографии, повысить механическую надёжность структуры и её электропроводность. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 ил.
