Патенты автора АРНОЛЬД Марко (DE)
Изобретение относится к композициям для электролитического осаждения меди на подложках в электронных устройствах. Композиция содержит источник ионов меди и по меньшей мере одну добавку линейного или разветвленного полимерного соединения имидазолия формулы (L1), где R1, R2, R3 - водород, R4 - двухвалентный замещенный или незамещенный С2-С20 алкандиил, n - целое число от 2 до 6000. Использование указанной добавки (L1) в электролитических ваннах для осаждения меди обеспечивает повышенную эффективность выравнивания слоя меди с достижением по существу плоского слоя меди и заполнения элементов поверхности нанометрового и микрометрового масштаба без формирования дефектов, таких как пустоты. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 16 ил., 10 пр.
Изобретение относится к композициям для электролитического осаждения меди на полупроводниковую подложку. Композиция содержит источник металлических ионов и по меньшей мере одну добавку, содержащую по меньшей мере один полиаминоамид формулы I или производные полиаминоамида формулы I, получаемые путем полного или частичного протонирования, N-кватернизации или ацилирования. Изобретение обеспечивает по существу плоский слой меди и заполнение элементов поверхности нанометрового и микрометрового масштаба по существу без образования дефектов, в частности пустот при применении с электролитической ванной для нанесения металлического покрытия, в частности с электролитической ванной для нанесения медного покрытия. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 табл., 14 пр.
Изобретение относится к композиции для электроосаждения меди, используемой в процессе производства полупроводников, для заполнения небольших элементов, таких как сквозные отверстия и желобки. Композиция содержит источник ионов меди, по меньшей мере одну добавку, содержащую полиалкилениминовую основную цепь, где указанная полиалкилениминовая основная цепь имеет молекулярную массу Mw от 500 до 100000 г/моль, где N атомы водорода в основной цепи замещены полиоксиалкиленовым радикалом и где среднее количество оксиалкиленовых единиц в указанном полиоксиалкиленовом радикале составляет от 1,5 до 10 на N-H единицу, один или более усиливающих агентов, один или более подавляющих агентов и источник ионов галогенидов. Описано также применение композиции в электролитической ванне для осаждения слоев и способ осаждения слоя металла на подложку. Технический результат - достижение однородного осаждения металла на поверхность подложки и исключение дефектов, таких как пустоты и швы в полосках меди. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 табл., 17 пр., 10 ил.
