Патенты автора Контрош Евгений Владимирович (RU)
РАДИОФОТОННЫЙ ОПТОВОЛОКОННЫЙ МОДУЛЬ // 2789005
Изобретение относится к технике связи и может использоваться в системах радиофотонной связи. Технический результат состоит в повышении мощности выходного электрического сигнала. Для этого радиофотонный оптоволоконный модуль включает два лазерных источника (15), (17) оптического сигнала СВЧ импульсов, две сборки фотодетекторов (1) и (2), последовательно коммутированных монолитных многопереходных СВЧ фотодетекторов (3) и два оптических разветвителя (4), (5). Обе сборки (1) и (2) фотодетекторов (3) образуют параллельное встречное соединение, а точки соединения (10) и (11) сборок (1) и (2) фотодетекторов (3) подключены через СВЧ тракт (12) к антенне (13). Вторичные оптические волокна (6-9) первого и второго оптических разветвителей (4), (5) оптически состыкованы со сборками (1) и (2) через стыковочные модули (30). Сборки (1) и (2) фотодетекторов (3) выполнены по меньшей мере из двух многопереходных СВЧ фотодетекторов, в виде монолитной структуры, включающей в себя пленарные полупроводниковые p-i-n субэлементы (18), имеющие одинаковую ширину Еg запрещенной зоны, но различные толщины и уровни легирования, соединенные друг с другом встречно включенными пленарными туннельными диодами (21). 6 ил.
Радиофотонный оптоволоконный модуль // 2722085
Изобретение относится к радиофотонике. Радиофотонный оптоволоконный модуль включает лазерный источник оптического сигнала СВЧ импульсов, две сборки последовательно соединенных СВЧ фотодетекторов и три оптических разветвителя, вторичные оптоволокна первого оптического разветвителя оптически стыкованы с последовательно соединенными фотодетекторами первой сборки фотодетекторов, вторичные оптоволокна второго оптического разветвителя оптически стыкованы с последовательно соединенными фотодетекторами второй сборки фотодетекторов, обе сборки фотодетекторов образуют параллельное встречное соединение, а места соединений сборок фотодетекторов подключены через СВЧ тракт к антенне, первичное волокно третьего разветвителя (1×2) оптически стыковано с лазерным источником оптического сигнала СВЧ импульсов, а вторичные два оптоволокна третьего разветвителя имеют разную длину и оптически стыкованы с первичными оптоволокнами первого и второго оптических разветвителей. Технический результат - увеличение коэффициента полезного действия антенны. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным фотоэлектрическим преобразователям мощного оптического излучения с соединительными туннельными диодами. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя содержит верхнюю субструктуру (1), нижнюю субструктуру (2), выполненные, например, из GaAs, сопряженные между собой туннельным диодом (3). Туннельный диод (3) содержит: сильнолегированный слой (4) р-типа проводимости из AlGaAs, нелегированный слой (5) из GaAs с собственной проводимостью толщиной 1-3 нм, сильнолегированный слой (6) n-типа проводимости из GaAs и слой (7) n-типа проводимости из AlGaAs. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя имеет высокую плотность пикового туннельного тока. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СВЧ МОДУЛЬ // 2670719
Изобретение относится к области радиотехники, в частности к радиофотонике, и может быть использовано при конструировании систем возбуждения антенн и антенных решеток для связи, радиолокации и радиоэлектронной борьбы. Оптоволоконный фотоэлектрический СВЧ модуль включает симметричный оптоволоконный разветвитель, в первичное оптоволокно которого вводятся мощные импульсы лазерного излучения длительностью менее 2 нс в спектральном диапазоне 820-860 нм, каждое из вторичных оптоволокон оптически стыковано с AlGaAs-GaAs фотодетектором, работающим в вентильном режиме, фотодетекторы соединены электрически последовательно в модуль, причем количество фотодетекторов в модуле прямо пропорционально величине эффективного волнового сопротивления электрической нагрузки. Изобретение обеспечивает повышение мощности и быстродействия оптоволоконного фотоэлектрического преобразователя мощных СВЧ импульсов лазерного излучения. 3 з.п. ф-лы, 3 пр., 4 ил.
Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение просветляющего покрытия на фронтальную поверхность гетероструктуры, создание разделительной мезы через маску фоторезиста путем травления первой канавки в полупроводниковой гетероструктуре до германиевой подложки. После создания первой канавки осуществляют пассивацию поверхности первой канавки диэлектриком, после чего проводят травление через маску из фоторезиста второй канавки в германиевой подложке глубиной не менее 2 мкм и шириной на 5-10 мкм уже ширины первой канавки и покрывают вторую канавку диэлектриком. Способ согласно изобретению позволяет увеличить выход годных гетероструктурных солнечных элементов и повысить надежность их эксплуатации особенно в условиях космического пространства. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 пр.
