Патенты автора УСМАН ИБРАХИМ Шейк Ансар (US)
Изобретение относится к водным полирующим композициям для полирования материалов подложек электрических, высокой точности механических и оптических устройств. Водная полирующая композиция содержит (A) по меньшей мере одно растворимое в воде или диспергируемое в воде соединение, выбранное из солей N-замещенных N'-гидрокси-диазений-оксидов, и (В) абразивные частицы, содержащие оксид церия или состоящие из него. Описывается также способ полирования материалов до достижения желательной плоскостности с использованием указанной композиции. Предложенная полирующая композиция обеспечивает повышенную оксид/нитрид-селективность и улучшенную глобальную и локальную плоскостность отполированных материалов электрических, механических и оптических устройств. 3 н. и 6 з. п. ф-лы, 2 табл., 6 пр.
Изобретение относится к водной полирующей композиции, имеющей pH от 3 до 11. Композиция содержит (А) по меньшей мере один тип абразивных частиц, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (В) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью. Абразивные частицы (А) являются неорганическими частицами, содержащими или состоящими из диоксида церия. Композиция содержит (B) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент, выбранный из группы растворимых в воде конденсированных фосфатов, причем растворимый в воде конденсированный фосфат выбран из группы, состоящей из метафосфатов общей формулы I:
и полифосфатов общей формулы II и III:
где М является аммонием, натрием и калием и индекс n равен от 2 до 10000. Композиция содержит (C) по меньшей мере один компонент на основе многоатомного спирта, выбранный из группы (с1) многоатомных спиртов, причем многоатомный спирт (с1) содержится в количествах от 0,005 до 5 мас.% в пересчете на массу указанной композиции, (с2) смеси, состоящей из (с21) по меньшей мере одного многоатомного спирта и (с22) по меньшей мере одного растворимого в воде или диспергируемого в воде полимера, (с3) смесей (с1) и (с2). Описан также способ полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств и применение водной полирующей композиции для изготовления электрических, механических и оптических устройств. Технический результат – обеспечение композиции, имеющей улучшенную избирательность в отношении оксида кремния по сравнению с нитридом кремния даже более 50 с получением отполированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 табл., 30 пр.
Изобретение главным образом относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и ее применению в полирующих субстратах полупроводниковой промышленности. Композиция содержит (A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь, или их композит, (B) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, (C) водную среду и (D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN. Изобретение также относится к способу получения полупроводниковых устройств, включающему полирование субстрата в присутствии указанной композиции, и применению композиции для полирования субстрата, содержащего нитрид кремния и/или поликремний. Композиция проявляет улучшенные полирующие характеристики. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 табл.
Изобретение направлено на водную полирующую композицию, которая особенно подходит для полирования материалов подложек для электрических, механических и оптических устройств. Композиция содержит (A) абразивные частицы, которые положительно заряжены, когда диспергированы в водной среде, имеющей pH в интервале от 3 до 9; (B) водорастворимые или диспергируемые в воде компоненты, выбранные из (b1) алифатических и циклоалифатических оксикарбоновых кислот, где молярное отношение гидроксильных групп к группам карбоновых кислот составляет по меньшей мере 2; (b2) сложных эфиров или лактонов оксикарбоновых кислот (b1), имеющих по меньшей мере две гидроксильные группы; и (b3) их смесей; и (C) водорастворимые или диспергируемые в воде полимерные компоненты, выбранные из (c1) линейных и разветвленных полимеров алкиленоксидов; (c2) линейных и разветвленных, алифатических и циклоалифатических поли(N-виниламидных) полимеров; и (c3) катионных полимерных флокулянтов, имеющих среднемассовую молекулярную массу менее 100000 Дальтон. Композиция демонстрирует улучшенную оксид/нитрид селективность и обеспечивает получение отполированных пластин, имеющих хорошую глобальную и локальную плоскостность. 4 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 табл., 6 пр.
