Патенты автора Мешков Олег Игоревич (RU)
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам измерения параметров пучков ускоренных заряженных частиц. Неразрушающий поперечный профилометр релятивистского электронного пучка снабжен ловушкой рабочего вещества, расположенной соосно источнику потока рабочего вещества на диаметрально противоположной стороне участка тракта и сообщенной с внутренней полостью участка тракта через отверстие в его боковой поверхности, при этом источник потока рабочего вещества выполнен в виде источника потока паров металла, состоящего из корпуса, во внутренней полости которого установлены емкость для рабочего вещества, нагреватель и плоское сопло, а окно установлено в полом корпусе параллельно центральной оси источника потока паров металла, регистрирующее устройство выполнено в виде цифровой фотокамеры, установленной у поверхности окна, причем объектив цифровой фотокамеры установлен перпендикулярно поверхности окна. Технический результат – повышение точности измерения поперечного профиля электронного пучка. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры, имеющей, по меньшей мере, последовательность слоев GaAs/AlGaAs с заданными характеристиками, включает расположение полупроводниковой гетероструктуры на подложкодержателе в реакторе системы реактивного ионного травления с обеспечением контактирования слоя арсенида галлия с плазмой технологических газов, подачу в реактор технологических газов и последующее селективное реактивное ионное травление при заданных параметрах технологического режима.
В способе используют полупроводниковую гетероструктуру, имеющую слой AlGaAs толщиной не менее 10 нм, с содержанием химических элементов AlxGa1-xAs при x, равном либо большем 0,22, в качестве технологических газов используют смесь трихлорида бора и гексафторида серы при соотношении (2:1)-(9:1) соответственно, селективное реактивное ионное травление осуществляют при давлении в реакторе 2-7 Па, мощности, подаваемой в разряд 15-50 Вт, температуре подложкодержателя 21-23°С, общем расходе технологических газов 15-25 мл/мин.
Технический результат - повышение выхода годных путем повышения селективности, контролируемости, воспроизводимости, анизотропии и снижения неравномерности, плотности дефектов и загрязнений на поверхности полупроводниковой гетероструктуры. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.
