Патенты автора Голошумова Алина Александровна (RU)
Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов для нелинейной оптики. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98 с соответствующим изменением пространственной группы от тетрагональной I2d до ромбической Pna21 (при х=0,98), параметры элементарной ячейки 5,991<a<6,842 , 5,991<b<8,251, 6,549<с<10,884, объем 369,711<V<390,584 характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности 0,37-19,6 мкм, шириной запрещенной зоны при температуре 300 К 1,8-3,34 эВ, величиной двулучепреломления Δn>0,02, нелинейным коэффициентом 9,9-39,0 пм/В, порогом оптического разрушения 15-90 МВт/см2 при длительности импульса 6 нс, частоте повторения 100 Гц, длине волны 1,064 мкм. Способ получения монокристалла LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98, состоит в том, что предварительно синтезируют соединения LixAg1-xGaSe2 из элементарных компонентов Ag, Se, Ga (4N) и Li (2N) в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, затем выращивают монокристалл методом Бриджмена в вакуумированной ампуле, установленной в печи, при скорости выращивания от 5 до 10 мм/сут и среднем значении аксиального температурного градиента от 10 до 20°С/см и охлаждают печь при комнатной температуре. Полученные кристаллы прозрачны в широком интервале длин волн и позволяют реализовать перестройку лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон. 3 ил., 1 табл., 3 пр.
Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения // 2699639
Изобретение относится к монокристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных к применению в нелинейной оптике для реализации перестройки лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон. Получен нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0,1 до 0,9, имеющий пространственную группу Id тетрагональной симметрии, Z=4, с параметрами элементарной ячейки 6,3295<а<6,398 , 11,682<с<12,460 и объемом 468,01<V<510,0 , характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности от 0,76 до 14,8 микрон, шириной запрещенной зоны 1,837 эВ при 300 К, значениями двулучепреломления 0,049 при 2 мкм и нелинейными коэффициентами d13=3,70 пм/В и d14=48,73 пм/В. Способ получения монокристалла литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2, где х принимает любое значение от 0,1 до 0,9, включает предварительный синтез соединения LiGaxIn1-xTe2 из элементарных компонентов Li, In, Ga и Te в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, рост монокристалла модифицированным методом Бриджмена-Стокбаргера в вакуумированной ампуле при обеспечении изменения соотношения температурных градиентов в расплаве и растущем кристалле при скорости выращивания от 2 до 10 мм/сутки и среднем значении аксиального температурного градиента от 2 до 3°С/мм и охлаждение печи со скоростью порядка 10°С/ч. Технический результат заключается в обеспечении возможности сдвига края поглощения в короткую область (по мере увеличения x) в сочетании с увеличением коэффициента преобразования за счет достижения некритичного фазового синхронизма. Ожидаемый эффект увеличения КПД преобразования лазерного излучения при использовании данного нелинейного монокристалла составит 10-30% по сравнению с нелинейными монокристаллами LiGaTe2. При варьировании значения (x) можно обеспечить согласование групповых и фазовых скоростей лазерного излучения, при котором увеличивается эффективная длина взаимодействия для фемтосекундного режима генерации, что обеспечит дополнительный эффект порядка 10-20% КПД. 2 н.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.
Изобретение относится к области получения сегнетоэлектрических монокристаллов фторидов, применяемых в нелинейной оптике. Получен монокристаллический материал фторида SrMgF4, обладающий способностью к преобразованию лазерного излучения в ВУФ/УФ области спектра от длины волны 0,122 мкм до 11,8 мкм с коэффициентом нелинейности для моноклинной фазы dij=0.044 пм/В и характеризующийся наличием сегнетоэластического фазового перехода при 480 K. Выращивание монокристаллического материала SrMgF4 оптического качества осуществляют методом Бриджмена из расплава SrMgF4, имеющего температуру плавления 1173 K, в вертикальной двухзонной печи с температурами 1470 K и 970 K в зонах печи при температурном градиенте в области роста 10-20 K/см, скорости опускания ампулы порядка 1 мм/день и охлаждении в режиме отключенной печи с последующим отжигом кристалла. Изобретение позволяет создавать периодические структуры, на которых возможна реализация квазифазового синхронизма, что обеспечивает увеличение КПД преобразования лазерного излучения даже при невысоких параметрах нелинейности кристалла. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
