Патенты автора Семенов Алексей Николаевич (RU)
Настоящее изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники. Способ изготовления AlGaN-гетероструктур для солнечно-слепых фотокатодов ультрафиолетового диапазона включает отжиг подложки из сапфира при температуре (800-850)°С, нитридизацию поверхности подложки из сапфира в потоке активированного азота при температуре TS=(780-820)°С, последовательное выращивание методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии зародышевого слоя AIN в режиме эпитаксии с повышенной миграцией атомов при температуре TS=(780-820)°C толщиной (60-130) нм, буферного слоя AIN в режиме металл-модулированной эпитаксии в слабых металл-обогащенных условиях при соотношении потоков алюминия и азота FN FAl/FN=1.05 толщиной 1-2 мкм и активного слоя AlGaN, легированного Mg, в металл-обогащенном режиме с непрерывным изменением содержания алюминия в слое от 80 до 37% толщиной (90-160) нм при температуре (680-700)°С путем уменьшения потока алюминия в процессе роста при неизменном соотношении (FAl + FGa)/FN потоков металлов (FAl, FGa) и азота. Технический результат заключается в разработке способа изготовления AlGaN - гетероструктуры для солнечно-слепых фотокатодов ультрафиолетового спектрального диапазона, который бы обеспечивал высокую чувствительность в спектральном диапазоне длин волн менее 290 нм. 2 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может найти применение в системах квантовой криптографии и квантовых вычислений, при создании прецизионного спектрального оборудования и эталонов оптической мощности. Способ получения наноколончатых гетероструктур на основе соединений III-N включает подготовку подложки из сапфира, травление подложки при температуре 250-300°С смесью кислот H2SO4 и H3PO4 в течение 6-10 минут через диэлектрическую маску с регулярно расположенными отверстиями, сформированными литографией, удаление диэлектрической маски и травление подложки при температуре 250-300°С смесью кислот H2SO4 и H3PO4 в течение 1-3 минуты, отжиг профилированной травлением подложки, нитридизацию поверхности профилированной подложки молекулярно-пучковой эпитаксией, последовательное выращивание на профилированной подложке плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией зародышевого слоя GaN толщиной 40-80 нм наноколончатой гетероструктуры в металл-обогащенных условиях роста, выращивание основных слоев GaN наноколончатой гетероструктуры, слоев активных областей InGaN наноколончатой гетероструктуры и выращивание внешних оболочек AlGaN наноколончатой гетероструктуры в азот-обогащенных условиях роста. Изобретение обеспечивает формирование однородного по площади сильно разряженного массива наноколончатых гетероструктур, которые при этом являются оптически изолированными и могут использоваться для создания приборов, излучающих одиночные фотоны. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение может быть использовано в системах очистки воды/воздуха/продуктов, системах химического анализа, медицине, УФ спектрометрии, системах скрытой помехоустойчивой оптической связи и др. Источник спонтанного ультрафиолетового излучения с длиной волны менее 250 нм включает подложку (1) из с-Al2O3, на которой последовательно сформированы буферный слой (2) из AlN, активная область (3), содержащая по меньшей мере 200 пар слоев в виде нижнего барьерного слоя (5) AlN толщиной (5,5-7,5) нм и слоя (4) квантовой ямы GaN толщиной (0,26-0,78) нм, и верхний барьерный слой (5) из AlN толщиной (5,5-7,5) нм. Источник имеет повышенную эффективность излучения, увеличенную величину мощности, и при этом в нем минимизирован эффект релаксации упругих напряжений. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАДИОНУКЛИДА ЛЮТЕЦИЙ-177 // 2594020
Изобретение относится к технологии получения радионуклидов для ядерной медицины. Способ получения радионуклида 177Lu включает изготовление мишени, содержащей лютеций природного изотопного состава или обогащенный по изотопу 176Lu, облучение нейтронами мишени, с последующим выделением целевого радионуклида 177Lu, полученного в результате реакции 176Lu(n, γ)177Lu . При этом мишень представляет собой композиционный материал, состоящий из наночастиц лютеция или его соединений, окруженных буфером в виде твердого вещества, растворимого в воде или других растворителях, при этом d - характерный размер наночастиц выбирают из условия λ/d>>1, где λ - длина пробега в веществе наночастицы атомов отдачи 177Lu. После облучения мишени наночастицы и буфер разделяют, буфер направляют на радиохимическую переработку для выделения радионуклида 177Lu, а наночастицы возвращают в активную зону реактора в составе новой мишени. Изобретение обеспечивает эффективное получение радионуклида 177Lu с высокой удельной активностью. 6 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЙ МИШЕНИ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОИЗОТОПОВ МОЛИБДЕНА-99 // 2588594
Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (99Mo), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (99mTc). Способ изготовления мишени для производства радиоизотопа молибден-99 осуществляется посредством реакции 98Mo(n,γ)99Mo, протекающей в потоке тепловых нейтронов ядерного реактора, с использованием матрицы-буфера из мезопористых неорганических материалов, в каналы которой вносят соединения молибдена. Изготовление мишени производится пропиткой сорбента Al2O3 с удельной поверхностью 200 м2/г раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 и последующей термообработкой в потоке кислорода, в результате чего на поверхности каналов образуется нанослой MoO3. Средняя толщина нанослоев MoO3, последовательно наносимых в каналы матрицы, задается числом нанесений и ограничена эффективным диаметром каналов. После облучения разделение содержащего ядра отдачи буфера Al2O3 и стартовых наночастиц MoO3 достигается путем элюирования более 97% MoO3 из мишени 20%-ным раствором аммиака в воде. Техническим результатом является возможность получения равномерного распределения молибдена по объему Al2O3 при осаждении молибденовых покрытий на поверхности его мезопор, упрощение способа изготовления мишени, повышение производительности процесса наработки 99Mo за счет создания нанослоев по всему объему матрицы, достижение высокой гомогенности состава «нанослой Мо - буфер» при повышении эффективности использования стартового материала и сбора атомов отдачи. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЙ МИШЕНИ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОИЗОТОПА МОЛИБДЕНА-99 // 2578039
Изобретение относится к реакторной технологии получения радиоизотопа молибден-99 (99Мо), являющегося основой для создания радиоизотопных генераторов технеция-99m (99mTc). В заявленном способе производство радиоизотопа молибден-99 по реакции 98Мо(n,γ)99Мо, осуществляемой в потоке тепловых нейтронов ядерного реактора, проводится с использованием матрицы-буфера из мезопористых неорганических материалов, в каналы которой вносят соединения молибдена. Изготовление мишени производится пропиткой активированного угля с удельной поверхностью более 300 м2/г раствором парамолибдата аммония (NH4)6Mo7O24 и последующей термообработкой, в результате чего на поверхности каналов образуются нанослои MoO3. Доля атомов отдачи 99Мо, покидающих слои MoO3 и локализующихся в буфере, зависит от толщины нанесенных слоев. Средняя толщина нанослоев MoO3, последовательно наносимых в каналы матрицы, задается числом нанесений и ограничена эффективным диаметром каналов. После облучения разделение содержащего ядра отдачи активированного угля и стартовых наночастиц MoO3 достигается путем элюирования более 97% MoO3 из мишени 20%-ным раствором аммиака в воде. Последующий процесс выделения ядер отдачи из матрицы реализуется газификацией угольной составляющей матрицы путем сжигания. Техническим результатом является упрощение способа изготовления мишени, повышение производительности процесса наработки 99Мо за счет создания нанослоев по всему объему матрицы, что позволяет достичь высокой гомогенности состава «нанослой Мо - буфер», обеспечить эффективность использования стартового материала и повысить эффективность сбора атомов отдачи, возможность получения равномерного распределения молибдена по объему активированного угля при осаждении молибденовых покрытий на поверхности его мезопор. 2 з.п. ф-лы, 1 пр.
