Патенты автора Хасанов Асламбек Идрисович (RU)
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ состоит в следующем: на кремниевых пластинах после создания тонкого затворного оксида по стандартной технологии поверх нее над канальной областью формируют слой нитрида кремния Si3N4 толщиной 40-80 нм при расходе газовой смеси SiH4-N2 35-40 см3/мин в реакторе, давлении газовой смеси 0,4 мм рт.ст., ВЧ-мощности 100 Вт, концентрации силана в смеси 1 мол.%, температуре подложки 400°С и скорости осаждения нитрида кремния Si3N4 0,3 нм/с. Нанесение слоя нитрида кремния поверх слоя оксида улучшает рабочие характеристики полупроводниковых приборов, т.к. при облучении в двухслойных системах SiO2-Si3N4 происходит уменьшение встроенного заряда за счет компенсации положительного заряда в диоксиде кремния отрицательным зарядом, накопленным в нитриде кремния, и повышается радиационная стойкость. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Согласно изобретению предложен способ формирования полупроводниковых приборов, включающий формирование на кремниевой пластине тонкого затворного оксида толщиной 13 нм термическим окислением при 1000°С в течение 40 мин в сухом О2 с добавкой 3% HCl, отжиг в аргоне 15 мин, нанесение поверх слоя оксида кремния над канальной областью слоя поликремния толщиной 300 нм пиролитическим разложением силана SiH4 при температуре 670°С в аргоне, после чего поликремний легируют ионами бора с дозой 1013 см-2 энергией 90 кэВ и полученную полупроводниковую структуру отжигают под действием сканирующего аргонного лазера мощностью 10-15 Вт. Изобретение обеспечивает снижение значений тока утечки, технологичность способа, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Способ изготовления нитрида кремния // 2769276
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления нитрида кремния с пониженным значением дефектности. Технология способа состоит в следующем: на полупроводниковой Si подложке формируют нитрид кремния путем пропускания газообразного азота N2 через смесь гидрозина N2H4 и силана SiH4 при температуре подложки 300°С, давлении газа 15 Па, давлении силана 10 Па, отношении парциальных давлений газообразных источников Pr(N2H4+N2)/Pr(SiH4)=8 и скорости осаждения нитрида кремния 1,5 нм/с, с последующим отжигом при температуре 400°С в атмосфере Аг в течение 30 мин. Активные области полупроводникового прибора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления межсоединений с пониженным значением сопротивления.Технология способа состоит в следующем: методом электронно-лучевого испарения наносят нижний слой хрома толщиной 5-20 нм со скоростью осаждения 0,1 нм/с при давлении 10-9 мм рт.ст., затем наносят слой меди толщиной 450 нм со скоростью осаждения 0,5 нм/с, затем верхний слой хрома толщиной 5-30 нм со скоростью осаждения 0,1 нм/с с последующим отжигом при температуре 400°C в атмосфере Ar-Н2 в течение 30 мин. Активные области полупроводникового прибора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Способ изготовления контактов // 2772556
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов с низким сопротивлением. Способ изготовления контактов включает нанесение на p-Si подложку пленки титана с последующей низкотемпературной обработкой при температуре 650°С в течение 30 с в потоке азота N2 и с последующей высокотемпературной обработкой, при этом согласно изобретению формируют контакт TiNxOy/TiSi на p-Si подложке нанесением пленки Ti толщиной 70 нм со скоростью 0,5 нм/с, при температуре подложки 450°С, давлении 10-5 Па, с последующей низкотемпературной обработкой в потоке азота N2 200 см3/мин, а последующую высокотемпературную обработку проводят при температуре 950-1050°С в течение 10 с в атмосфере аммиака NH3. Изобретение обеспечивает возможность улучшить надежность и повысить процент выхода годных приборов. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов из силицида вольфрама с пониженным значением контактного сопротивления. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), удельным сопротивлением 10 Ом⋅см, после формирования областей стока/истока и осаждения слоя подзатворного диэлектрика полевого транзистора формируется пленка силицида вольфрама SiW2 электронно-лучевым испарением толщиной 150 нм из двух источников в вакууме 1⋅10-5 Па, со скоростью роста 0,5 нм/с для Si и 0,2 нм/с для W, с последующим отжигом сначала при температуре 625°С в течение 30 мин, а затем при температуре 1000°С в течение 20 с, в инертной среде. Активные области n-канального полевого транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Технический результат заключается в снижении контактного сопротивления, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления многослойных проводников с пониженным значением контактного сопротивления. Согласно изобретению многослойный контакт Au/Pd/Ni/Ge формируют путем последовательного осаждения пленки Ge толщиной 20 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью осаждения 3 нм/с, пленки никеля Ni толщиной 15 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью роста 1 нм/с, последующим осаждением слоя Pd толщиной 50 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью осаждения 0,5 нм/с, и Au толщиной 100 нм, и термообработкой при температуре 450°С в течение 2,5 мин в атмосфере форминг газа. Изобретение обеспечивает снижение контактного сопротивления, улучшение параметров приборов и повышение технологичности. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления изолирующего слоя с пониженным значением тока утечки. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, изолирующего слоя, отличающийся тем, что изолирующий слой формируют выращиванием слоя окисла на подложке InР р-типа проводимости с уровнем легирования 8*1017 см-3 путем реактивного распыления пластины InР n-тип 0,002 Ом*см при давлении 3-10-5 Па и напуском кислорода О2 давлением 13 Па, при плотности тока на катоде 0,5 мА/см2, плотности магнитного потока 0,015 Тл, температуре подложки 70°С осаждением со скоростью 2,5 нм/мин, с последующим отжигом при температуре подложки 250°С в атмосфере азота N2 в течение 35 мин. Технический результат заключается в снижении токов утечек, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления структур с низкой дефектностью. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния с ориентацией (100), (111) формируют гетероструктуру GeSi нанесением германия на кремний при давлении 2*10-5 Па, толщиной аморфного слоя пленки 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с с последующим воздействием единичного импульса электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и последующим электроннолучевым отжигом при 0,8 Дж/см2 в атмосфере водорода в течение 12 минут при температуре 325°С. Активные области полупроводникового прибора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диоксида кремния с пониженными значениями токов утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, затворного оксида на полупроводниковой подложке, отличающееся тем, что формирование затворного оксида проводят осаждением пленки SiO2 из плазмы при отношении концентрации N2O/SiH4, равным 11, и скорости потока газа 3 дм3/мин, при скорости осаждения пленок SiO2 0,5 нм/с, и температуре 200°С, и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин. Технический результат заключается в снижении тока утечки, обеспечении технологичности, улучшении параметров структур, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает формирование аморфного кремния a-Si осаждением со скоростью 0,5 нм/с в индукционно-плазменном реакторе из смеси РН3-SiH4, при частоте 13,55 МГц, напряжении 250 В, температуре подложки 300°С, давлении газа 6,6 Па, скорости потока смеси 5 см3/мин и отношении концентраций PH3/SiH4=10-6-10-3. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочного транзистора с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает процессы формирования областей стока, истока, затвора, подзатворного оксида, пленки аморфного кремния на стеклянной подложке. Согласно изобретению пленку аморфного кремния a-Si:H формируют осаждением в ВЧ разряде с разложением в тлеющем разряде дисилана, растворенного в гелии при соотношении He/Si2H6=9/1, на стеклянную подложку при давлении газа 130 Па, ВЧ мощности 8 Вт, на частоте 13,56 МГц и температуре подложки 280°С, со скоростью потока газа 200 см3/мин и скоростью осаждения пленки 1,2 нм/с. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика полевого транзистора с пониженным значением тока утечки. Способ изготовления полупроводникового прибора включает процессы формирования активных областей полевого транзистора, электродов к ним и подзатворного диэлектрика, при этом согласно изобретению подзатворный диэлектрик формируют на основе оксида эрбия методом электронно-лучевого испарения в вакууме 1*10-6 Па со скоростью осаждения 0,1 нм/с, толщиной 25 нм с последующим окислением при температуре 600-700°С и отжигом в атмосфере 60% N2 - 40% Н2 в течение 20 мин. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ осуществляется следующим образом: на пластины р-Si (10 Ом*см) с ориентацией (100), наносят слой кремния n-типа проводимости толщиной 80 нм и последовательно формируют 2-слойную структуру (SiO2+Si3N4), SiO2 толщиной 38 нм, нитрид кремния Si3N4 толщиной 24 нм, по стандартной технологии. Сформированную структуру подвергают бомбардировке электронами энергией 25 кэВ, дозой (1,6-3,2)*10-5 Кл/см2 с последующим отжигом путем высокочастотного нагрева (13,56 МГц) при мощности ВЧ-генератора 500 Вт в течение 7,5 мин, давлении 10-2 мм рт.ст. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, а также обеспечивает технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов со слоем карбида кремния с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния после формирования областей стока/истока и осаждения слоя карбида кремния и сегнетоэлектрического материала структуру подвергают облучению электронами с энергией 6 МэВ, дозой 2⋅1018-3⋅1018 см-2, с последующей термообработкой в атмосфере водорода при температуре 970°С в течение 30 мин. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек, улучшение параметров структур, повышение качества и выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки. Сущность: на пластинах кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом⋅см выращивался слой термического слоя оксида 22 нм окислением в сухом кислороде при 1000°С. Далее проводили процесс азотирования затворного оксида в атмосфере аммиака NH3 в течение 15 минут при 1100°С и его оксидирование в атмосфере сухого кислорода О2 в течение 30 минут при 1100°С, затем проводили термообработку при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Области полевого транзистора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Технический результат заключается в снижении токов утечки, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора. Согласно изобретению способ изготовления полупроводникового прибора реализуется следующим образом: на подложках кремния р-типа проводимости формируют инверсный карман имплантацией ионов фосфора с энергией 150 кэВ, дозой 2,0*1013 см-2, с разгонкой в окислительной среде в течение 15 мин при температуре 1150°С и образованием слоя диоксида кремния, затем в инертной среде - 45 мин и имплантацией бора через слой диоксида кремния с энергией 150 кэВ, дозой 1,5*1013 см-2, с последующей разгонкой при температуре 1150°С в инертной среде в течении 90 мин. Затем формируют активные области n-канального полевого транзистора и электроды к ним по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение токов утечеки и предотвращение «тиристорного эффекта», а также повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления преобразователя солнечной энергии. Способ изготовления полупроводникового прибора со структурой с р, i, n слоями, включающий процессы легирования, при этом формирование i-слоя в p-i-n структуре осуществляют в три этапа: первый этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,3 нм/с, при ВЧ мощности 8 Вт, со скоростью потока SiH4 20 см3/с и давлении 27 Па; второй этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,6 нм/с, при ВЧ мощности 15 Вт, со скоростью потока SiH4 50 см3/с и давлении 45 Па, третий этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 1,0 нм/с, при ВЧ мощности 28 Вт, со скоростью потока SiH4 80 см3/с и давлении 65 Па, с последующим легированием i-слоя бором до 0,05×10-4% при соотношении (B2H6/SiH4) 10-4% в газовой смеси. Изобретение обеспечивает повышение КПД, технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*1016 см-2 с энергией 250 кэВ при температуре 40°С. Водород вводили имплантацией после аморфизации с энергией 20 кэВ и дозой 5*1015 см-2. Предложенный способ изготовления тонкопленочного транзистора позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. Также способ обеспечивает снижение токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности и качества. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния р-типа проводимости ориентации (100) формируют активные области прибора и разводку межсоединений для данного прибора по стандартной технологии. После чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку арсенид силикатного стекла. Пленку арсенид силикатного стекла формируют толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см3/мин и кислород 80-90 см3/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течение 50 с. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя изолирующих областей, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на подложке кремния n-типа проводимости формируют карман р-типа путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода. Затем формируют структуру прибора, электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора подзатворный оксид формируют при температуре 1060°С путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см3/мин в течение 5 мин, затем окисление при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин и введения в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см3/мин в течение 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин в течение 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течение 15 мин. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности, качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на кремниевых пластинах р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (111), после создания тонкого затворного оксида по стандартной технологии поверх него над канальной областью формируют слой окиси алюминия толщиной 50-80 нм из паровой фазы в результате реакции взаимодействия AlCl3+CO2+Н2 на поверхности кремния покрытого слоем оксида кремния. Пленки окиси алюминия осаждались при температуре 850°С со скоростью 12 нм/мин с последующим проведением термообработки в атмосфере водорода при температуре 500°С в течение 5 часов. Затем были изготовлены полупроводниковые приборы по стандартной технологии.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженной плотностью дефектов. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Технология способа состоит в следующем: на пластине кремния р-типа проводимости с ориентацией (100) формируют пленку тантала толщиной 28 нм со скоростью осаждения 30 нм/мин, на подложку, нагретую до 70°С, в вакууме при давлении 10-6-10-7 мм рт.ст. Затем проводят окисление в кислороде при температуре 530°С в течение 15 мин и формируют окисел тантала Та2O5 толщиной 60 нм, с последующим термическим отжигом при температуре 700°С в инертной среде в течение 5 мин. Улучшение параметров полупроводниковой структуры связано с тем, что окисел тантала Та2О5 содержит электронные ловушки. Все это улучшает структуру, уменьшает число ловушек для носителей заряда вблизи границы раздела. Активные области полупроводникового прибора формировались стандартным способом. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование поверх слоя оксида кремния нелегированного поликремния со скоростью 10 нм/мин при температуре 650°С, при расходе силана 10 см3/мин и водорода 22 л/мин, толщиной 400 нм и проведением ионного внедрения азота с энергией 1215 кэВ, дозой 5*1016-2*1017 см-2 при температуре подложки 100°С, с последующей термообработкой при температуре 450°С в течение 30 мин в форминг-газе. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см, ориентацией (100) выращивают слой оксида кремния, поверх нее с применением пиролиза выращивали слой нелегированного поликремния со скоростью 10 нм/мин при температуре 650°С, при расходе силана 10 см3/мин и водорода 22 л/мин, толщиной 400 нм, с последующим проведением ионного внедрения азота с энергией 12-15 кэВ, дозой 5*1016-2*1017 см-2, при температуре подложки 100°С. Затем проводили термообработку при температуре 450°С в течение 30 мин в форминг-газе и далее изготовление приборов по стандартной технологии. Технический результат - снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с высоким коэффициентом усиления. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости наращивают эпитаксиальный слой n-типа проводимости. Затем в ней формируют базу внедрением ионов бора через слой окисла толщиной 100 нм с энергией 50-100 кэВ, дозой 5*1012-2*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 900°С в течение 30 мин. Затем стандартным способом наносят слой пиролитического окисла, в котором вытравливают эмиттерные окна, и слой нелегированного поликристаллического кремния толщиной 300 нм. Для формирования эмиттерной области в слой нелегированного поликристаллического кремния внедряют ионы мышьяка с энергией 100 кэВ, дозой 1*1015-6*1016 см-2 и проводят термообработку при температуре 900-1000°С в течение 1-2 минут. Технический результат: повышение значения коэффициента усиления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора. Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диэлектрика поверх этого слоя осаждают слой окиси олова SnO2 разложением SnCl4 в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°С и скорости осаждения окиси олова 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 25 минут. Затем формируют n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.
Способ изготовления легированных областей // 2654984
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления легированных областей с пониженной дефектностью. В способе изготовления легированных областей в исходные пластины фосфида индия для формирования легированной n-области проводят внедрение ионов кремния с энергией 400 кэВ, дозой 1*1014 см-2 при температуре 200°C, с последующим отжигом при температуре 750°C в потоке водорода в течение 5-15 минут. Технический результат способа - снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. Технология способа изготовления полупроводникового прибора состоит в следующем: для формирования контакта в исходную подложку арсенида галлия n-типа проводимости с ориентацией (100) проводят ионное внедрение теллура с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2, с последующим лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВт/см2. Затем напыляют пленку титана магнетронным напылением толщиной 100 нм, со скоростью нанесения 5 нм/с и пленку платины толщиной 150 нм, со скоростью нанесения 10 нм/с, при давлении 9*10-5 Па, температуре подложки 60°C, в атмосфере аргона, с последующим отжигом при температуре 800°C в атмосфере водорода, в течение 5 мин. Затем формируют электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение значения контактного сопротивления, улучшение технологичности и параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения кремниевых пленок на сапфире с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры проводят отжиг подложки в атмосфере водорода в течение 2 часов при температуре 1250°C с последующим наращиванием пленок кремния пиролизом силана в атмосфере водорода при температуре 1000-1030°C в два этапа: сначала выращивают n+-слой кремния, легированный из PH3, с концентрацией примеси 1020 см-3, со скоростью роста 5 мкм/мин, затем наращивают n-слой кремния, легированный AsH3, с концентрацией примеси 4*1015 см-3, со скоростью роста 2,3 мкм/мин, с последующим термическим отжигом при температуре 600°C в течение 15 минут в атмосфере водорода. Затем формируют n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Предложенный способ изготовления полупроводниковой структуры позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным контактным сопротивлением. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют на GaAs подложку области истока/стока n+ - типа внедрением ионов кремния в две стадии: первая стадия с энергией 40 кэВ, дозой 7*1013 см-2, вторая стадия с энергией 100 кэВ, дозой 1*1014 см-2 и проводят термообработку при температуре 800°С в атмосфере азота в течение 20 мин. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления контактов, технологичность, улучшение параметров, повышение качества и увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: на кремниевой подложке p-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом⋅см, с ориентацией (111) выращивают тонкий слой окисла для структуры затвора приборов. Поверх окисла формируют слой поликристаллического кремния над областями истока, затвора и стока толщиной 45 нм при расходе силана 10 см3/мин и водорода 21 л/мин и скорости потока аргона 2,7 см/с со скоростью роста 1,5 нм/с при температуре 850-900°С, с последующим внедрением ионов азота энергией 10-15 кэВ, дозой 1⋅1017 см-2 при температуре подложки 80-90°С и проведением термообработки при температуре 300-400°С в течение 15-30 с в атмосфере водорода. Далее формируют полупроводниковые приборы по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диоксида кремния на кремниевой пластине р-типа проводимости с ориентацией (111) структуры подвергают имплантации однозарядными ионами кислорода с энергией 45-50 кэВ, дозой 3*1012-3*1013 см-2, с последующей термическим отжигом при температуре 650-700°С в течение 4-6 час, в атмосфере азота. Затем формируют электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Термообработка в атмосфере азота приводит, в результате реакции между избыточным кремнием и внедренным кислородом, к снижению фиксированного положительного заряда на поверхности раздела кремний-диоксид кремния и снижению токов утечек. Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенной радиационной стойкостью. В способе изготовления полупроводникового прибора после окисления затвора производят диффузию золота с обратной стороны кремниевой пластины концентрацией 3*1015-1*1016 см-3, при температуре 930-950°С, с последующим термическим отжигом при температуре 600°С в течение 35 минут. Затем формируют полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Золото компенсирует быстрые ловушки на границе раздела и создают дополнительные акцепторные состояния на границе раздела в близи валентной зоны, способствует диффузионному залечиванию дефектов. Все это улучшает структуру слоя кремния, уменьшает число ловушек для носителей заряда вблизи границы раздела, снижает влияние радиации на параметры прибора. Технический результат изобретения - повышение радиационной стойкости, снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных приборов.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования силицидных слоев с низким сопротивлением. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления, повышение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводниковых приборов на пластине кремния формируют аморфный слой имплантацией ионов кремния с энергией 50 кэВ, дозой 5⋅1015 см-2, при температуре подложки 25°С. Перед нанесением слоя палладия подложку последовательно протравливают в азотной, серной и плавиковой кислотах, затем промывают деионизованной водой. Слой палладия наносят при температуре 25-100°С толщиной 0,1 мкм, со скоростью 1,5 нм/сек. После нанесения слоя палладия проводят термообработку в вакууме при давлении (2-8)⋅105 мм рт.ст., температуре 250°С в течение 20-30 мин. В результате образуется силицид палладия Pd2Si. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. В способе изготовления полупроводниковых приборов контакты к n+-областям истока/стока формируют нанесением пленки W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 газообразным Н2, при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом в соотношении (Н2 : WF6>200:1), со скоростью роста пленки W 8-10 нм/мин, с последующим введением на границу радела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 и отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин. Введение углерода на границу раздела W/n+ Si предотвращает диффузию Si в W. Углерод забивает межзеренные границы в W и препятствует тем самым диффузии Si в W. Технически результатом изобретения является снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов полупроводникового прибора. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют контакты на основе GeMoW с легированным слоем германия. Для формирования контактов проводят при давлении 10-5 Па нанесение слоя германия, легированного мышьяком As концентрацией 1019-1020 см-3, толщиной 15 нм методом электронно-лучевого испарения, а затем ВЧ-распылением наносят слой молибдена Мо 15 нм и вольфрама W 300 нм, при плотности ВЧ-мощности 0,7 Вт/см2, давлении Ar 0,8 Па, с последующей термообработкой в форминг-газе при температуре 800°С в течение 7-15 мин. 1 табл.
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов с пониженным сопротивлением. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют контакты на основе силицида платины. Для этого наносят пленку платины толщиной 35-45 нм электронно-лучевым испарением на кремниевую подложку, нагретую предварительно до 350°C, со скоростью осаждения 5 нм/мин. Затем проводят термообработку в три этапа: 1 этап - при температуре 200°C в течение 15 мин, 2 этап - при температуре 300°C в течение 10 мин и 3 этап - при температуре 550°C в течение 15 мин в форминг-газе, при смеси газов N2:H2=9:1. Предлагаемый способ изготовления полупроводникового прибора обеспечивает снижение сопротивления контакта, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями контактного сопротивления. Изобретение обеспечивает снижение значений контактного сопротивления, повышение технологичности, улучшение параметров прибора, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на полуизолирующей подложке GaAs формируют тонкий слой n-GaAs толщиной 10-15 нм ионным внедрением серы при комнатной температуре с дозой 5*1012 см-2 с энергией 30 кэВ с последующей высокотемпературной обработкой при температуре 820-850°C в течение 20 мин. Затем по стандартной технологии формируют области полупроводникового прибора и контакты. 1 табл.
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность - полупроводниковый прибор создают путем формирования подзатворного диэлектрика из слоя оксинитрида кремния толщиной 50-100 нм при температуре 350°С, скорости потока SiH4 1-3 см3/с, давлении 133 Па, мощности ВЧ-разряда 70 Вт, соотношении N2O/(N2O+NH3)=0,4 с последующим отжигом при температуре 380-400°С в течение 30 мин в атмосфере азота. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора базовую область создают путем диффузии бора из анодных оксидных пленок в кремнии при температуре 1473 К в течение 90 мин в потоке азота 1,2·10-2 л/с. 1 табл.
