Патенты автора Миннебаев Станислав Вадимович (RU)
Изобретение относится к технике сверхвысоких частот, в частности к переходам. Полосково-волноводный переход содержит отрезок регулярного волновода прямоугольного сечения, в зоне перехода повёрнутого на 180 градусов, с закороченным четвертьволновым отрезком повёрнутой части, а в месте поворота находится разделённая на две части стенка и между широкими стенками отрезка волновода и повёрнутым на 180о отрезком имеется небольшой зазор, в который входит по линии симметрии зазора полосок симметричной полосковой линии, состыкованной с торцом поворота регулярного волновода прямоугольного сечения, при этом полосок симметричной полосковой линии проходит через проём разделённой на две части стенки и образует между стенками зазора и полоском разомкнутый на конце симметричный четвертьволновый полосковый шлейф. Волновод, симметричные полосковые линии, короткозамкнутый четвертьволновый шлейф и разомкнутый симметричный четвертьволновый шлейф могут иметь заполнение разными диэлектриками. Технический результат - создание конструкции соосного полосково-волноводного перехода между регулярным волноводом прямоугольного сечения и симметричной полосковой линией с гальванической развязкой между волноводом и полоском и с возможностью подвода напряжения постоянного тока к полоску. 3 ил.
Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности, к конструкции мощных транзисторов для СВЧ применений. Предлагается мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия, состоящий из подложки, гетероэпитаксиальной структуры на основе соединений нитрида галлия, нанесенной на подложку, электродов, включающих исток, затвор и сток, нанесенных на гетероэпитаксиальную структуру и пространственно-разделенных между собой, пассивационной диэлектрической пленки, нанесенной на гетероэпитаксиальную структуру между контактами электродов, теплоотвода, сформированного на гетероэпитаксиальной структуре, и теплораспределительного слоя, при этом подложка выполнена из высокоомного кремния, а теплораспределительный слой расположен между контактом стока и теплоотводом. Изобретение обеспечивает получение мощного сверхвысокочастотного транзистора на основе нитрида галлия со значением уровня выходной мощности Р≥10 Вт в непрерывном режиме подачи сигнала в сверхвысоком диапазоне частот Δf=8÷10 ГГц при упрощении технологического процесса его изготовления, а также снижении требуемых для этого материальных затрат. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
