Патенты автора Захарченко Роман Викторович (RU)
Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности, к конструкции мощных транзисторов для СВЧ применений. Предлагается мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия, состоящий из подложки, гетероэпитаксиальной структуры на основе соединений нитрида галлия, нанесенной на подложку, электродов, включающих исток, затвор и сток, нанесенных на гетероэпитаксиальную структуру и пространственно-разделенных между собой, пассивационной диэлектрической пленки, нанесенной на гетероэпитаксиальную структуру между контактами электродов, теплоотвода, сформированного на гетероэпитаксиальной структуре, и теплораспределительного слоя, при этом подложка выполнена из высокоомного кремния, а теплораспределительный слой расположен между контактом стока и теплоотводом. Изобретение обеспечивает получение мощного сверхвысокочастотного транзистора на основе нитрида галлия со значением уровня выходной мощности Р≥10 Вт в непрерывном режиме подачи сигнала в сверхвысоком диапазоне частот Δf=8÷10 ГГц при упрощении технологического процесса его изготовления, а также снижении требуемых для этого материальных затрат. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
