Патенты автора Потешкина Анастасия Андреевна (RU)

Изобретение относится к материалам электронной техники и может быть использовано в производстве диэлектрических фильтров, антенных подложек и различных электронных компонентов для изделий СВЧ-техники. Предлагаемый керамический материал содержит следующие компоненты, вес.%: СаО 19,9÷25,0; Gd2O3 53,8÷62,0; Al2O3 15,2÷17,4; TiO2 - остальное. Технический результат изобретения - получение термостабильного керамического материала, температурный коэффициент частоты которого изменяется в пределах (0±6)⋅10-6 1/град с малыми диэлектрическими потерями tgδε≤2,5⋅10-4 при сохранении величины диэлектрической проницаемости ε'=20±1,0. Предлагаемый материал позволяет создавать малогабаритные объемные керамические резонаторы и фильтры, тем самым расширяя номенклатуру современных селективных устройств, и способствует дальнейшей миниатюризации аппаратуры мобильной и космической связи. 1 табл., 6 пр.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания гексаферритовых магнитомягких материалов для индуктивных элементов дециметрового и сантиметрового частотного диапазонов. Гексаферритовый материал содержит следующее соотношение компонентов, вес.%: BaO - 18,21÷18,23; CoO - 5,95÷7,45; TiO2 - 0,10÷1,60; Fe2O3 - остальное. Изобретение позволяет получить магнитомягкий гексаферритовый материал с магнитной проницаемостью μн=10±2. 2 табл.

Изобретение относится к созданию анизотропных гексаферритов для миллиметрового диапазона. Техническим результатом является получение гексаферритового материала с полями анизотропии На~7-13 кЭ. Ферритовый материал содержит 6,75÷6,85 вес.% (SrO) оксида стронция, 9,75÷9,90 вес.% (NiO) оксида никеля, 0,45÷10,00 вес.% (Cr2O3) оксида хрома. При этом материал дополнительно содержит 0,10÷2,10 вес.% (Mn2O3) оксида марганца, 0,10÷4,60 вес.% (Sc2O3) оксида скандия, остальное вес.% (Fe2O3) оксида железа. 1 табл., 9 пр.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к материалам, предназначенным для использования в высокочастотном и сверхвысокочастотном диапазонах. Предлагаемый керамический материал содержит следующие компоненты, вес. %: MgO 6,2-13,0; Al2O3 23,4-33,3; ZnO 1,3-12,5; Mn2O3 1,2-12,1; SiO2 - остальное. Технический результат изобретения - получение керамического материала с низким уровнем диэлектрических потерь tgδε ≤4⋅10-4, при сохранении низкой величины диэлектрической проницаемости ε΄ 4,0±0,2 и влагопоглощения ≤0,1%. Предлагаемый материал позволит расширить номенклатуру материалов и создаваемых на их основе современных высокодобротных радиоэлектронных устройств. 9 пр., 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике. Технический результат изобретения заключается в получении плотного керамического материала с низкой диэлектрической проницаемостью ε′=4,2±0,2, сравнимой с органическими диэлектриками, с малыми диэлектрическими потерями tgδε≤7·10-4 и влагопоглощением менее 0,1%. Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью содержит, вес. %: MgO 13,8-6,40; Al2O3 32,0-35,6; ZnO 0,2-13,5; SiO2 - остальное. 2 табл.

 


Наверх