Патенты автора Малюков Сергей Павлович (RU)
Стекло для спаивания со сплавами алюминия // 2771549
Изобретение относится к составам стекол, дающих возможность получения герметичного спая со сплавами алюминия, используемых в создании высокотехнологического производства комплексов обработки сельхозсырья в качестве составляющих технологического оборудования (например, лотка подачи семян в фотосепараторе). Стекло для спаивания со сплавами алюминия, включающее SiO2, В2О3, MgO, Nа2О, K2О, МnО2, Sb2O3, дополнительно содержит Li2O, ZrO2, НfО2 при следующем соотношении компонентов, вес.%: SiO2 60-65; В2O3 4-10; MgO 1-9; Li2O 8-13,5; Na2O 3,5-8; K2O 1-8; НfO2 2-9; ZrO2 1-8; МnO2 1-8,5; Sb2O3 0,5-1,5. Техническим результатом предлагаемого стекла является повышение износостойкости стекловидного диэлектрика для спая со сплавами алюминия. 3 табл.
Стекловидный неорганический диэлектрик // 2711609
Изобретение относится к стекловидному неорганическому диэлектрику, включающему следующие соотношения компонентов, вес.%: SiO2 65,0-67,7; B2O3 5,2-8,8; СаО 1,7-3,3; MgO 1,0-2,3; Na2O 3,7-4,2; K2O 2,0-5,4; Li2O 3,5-5,0; Sb2O3 0,6-2,5; MnO2 1,2-2,7; ZrO2 7,55-15,80. Технический результат - снижение КЛТР для улучшения механической прочности применяемого стекловидного диэлектрика для создания прочного тройного спая, изготовленного методом центрифугирования. 2 ил., 3 табл.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления полупроводниковых датчиков давления. Технический результат изобретения заключается в повышении параметров надежности и обеспечении долговременной стабильности параметров датчика давления за счет того, что полупроводниковый чувствительный элемент структуры «кремний на сапфире» соединен с керамической шайбой стекловидным диэлектриком системы PbO-В2О3-ZnO. Способ изготовления полупроводникового датчика давления включает выполнение чувствительного элемента на основе структуры «кремний на сапфире» с нанесением стекловидного диэлектрика методом центрифугирования, при этом полупроводниковый чувствительный элемент структуры «кремний на сапфире» соединен с керамической шайбой стекловидным диэлектриком системы PbO-В2О3-ZnO, при этом коэффициент линейного термического расширения стекловидного диэлектрика согласован с коэффициентом линейного термического расширения сапфира и керамики, при времени осаждения стекловидного диэлектрика методом центрифугирования 3-5 мин, скорости вращения ротора центрифуги 7000 об/мин и оплавлении полученного слоя при температуре 560-580°С. 2 ил.
Изобретение относится к способу изготовления газовых датчиков и применяется для получения газочувствительного материала, который выполнен на основе диоксида титана, нанесенного на сапфировую подложку, и предназначен для регистрации содержания микропримесей оксида углерода и кислорода. Способ получения газочувствительного материала на сапфировой подложке, заключающийся в том, что из пленкообразующего раствора тетраизопропоксида титана получают газочувствительный материал на сапфировой подложке методом центрифугирования, который затем подвергают сушке и отжигу. Газочувствительный материал подвергают лазерному отжигу с использованием излучения импульсного твердотельного Nd:YAG-лазера с длиной волны 1064 нм, длительностью импульса 50-100 нс и средней мощностью 80-100 Вт. Изобретение обеспечивает возможность повышения качества кристаллической структуры и стабильности газочувствительных характеристик пленки газочувствительного материала за счет модификации ее кристаллической и дефектной структуры в процессе лазерного отжига. 2 ил.
Изобретение относится к способам резки хрупких неметаллических материалов, в частности сапфировых пластин импульсным лазерным излучением с длиной волны 1064 нм. Изобретение может быть использовано в различных областях техники и технологий для безотходной и высокоточной резки (термораскалывания) сапфировых пластин. Изобретение направлено на решение задачи повышения эффективности и качества резки. Способ лазерного управляемого термораскалывания сапфировых пластин включает направление лазерного луча от импульсного твердотельного Nd:YAG лазера на поверхность сапфировой пластины. Предварительно наносят энергопоглощающие слои графита на обе стороны сапфировой пластины по направлению реза, осуществляют локальный нагрев линии реза лазерным излучением с длительностью импульса 50-100 нс и средней мощностью 80-100 Вт, образование в материале сквозной разделяющей трещины. 3 ил.
