Патенты автора Олещенко Владислав Александрович (RU)
Изобретение относится к двумерной матрице лазерных диодов и способу её сборки. Его использование обеспечивает технический результат, а именно повышение плотности мощности излучения матрицы при обеспечении надежности и срока службы. Двумерная матрица лазерных диодов содержит: линейки лазерных диодов одинаковых размеров, длиной, равной ширине излучающей апертуры, с металлизацией на широких сторонах; две диэлектрические подложки, прозрачные для излучения линеек, с параллельными металлизированными полосками на одной поверхности, с шагом, равным толщине линеек, устанавливаемых между подложками, и шириной, равной зазорам между линейками, широкие стороны всех линеек с одноименным типом проводимости обращены в одном направлении; две металлические стенки, параллельные линейкам и образующие промежутки с зазором от крайних линеек; металлические проставки, длиной не менее длины линеек, шириной в долю от длины резонаторов, толщиной, равной зазору, параллельные подложкам между линейками, предназначенных для пропускания охлаждающей среды; металлизации на линейках и стенки скреплены с металлическими проставками и с металлизированными полосками на подложках, образуя из всех линеек последовательную электрическую цепь, в которой стенки являются внешними выводами для подключения к источнику питания. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил.
СПОСОБ ОХЛАЖДЕНИЯ ДВУМЕРНОЙ МАТРИЦЫ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ, УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ И КОННЕКТОР // 2754393
Настоящее изобретение относится к способу охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, к устройству для осуществления данного способа, и коннектору, используемому в данном способе. Устройство для охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, включающей в себя две подложки, между которыми установлены параллельно друг другу линейки лазерных диодов с образованием между соседними линейками лазерных диодов параллельных каналов для пропускания теплоносителя, содержит первые и вторые трубопроводы подвода теплоносителя и первые и вторые трубопроводы отвода теплоносителя, причем первые трубопроводы подвода теплоносителя и вторые трубопроводы отвода теплоносителя подсоединены с чередованием к одним концам параллельных каналов, а первые трубопроводы отвода теплоносителя и вторые трубопроводы подвода теплоносителя подсоединены с чередованием к другим концам параллельных каналов, входы всех трубопроводов подвода теплоносителя подключены к выходу подающего насоса, вход которого соединен с резервуаром теплоносителя, снабженного средством термостабилизации, выходы всех трубопроводов отвода теплоносителя соединены с накопителем отработанного теплоносителя. Изобретения обеспечивают возможность получения повышенной мощности излучения матрицы лазерных диодов за счет более эффективного их охлаждения. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к области лазерной техники и касается двумерной матрицы лазерных диодов. Матрица лазерных диодов содержит линейки лазерных диодов и две прозрачные для излучения лазерных диодов подложки. На одной поверхности каждой подложки сформированы параллельные металлизированные полоски с заданными шириной и шагом между ними. Линейки лазерных диодов имеют одинаковую длину резонаторов, образованных глухим и выходным зеркалами, размещенными на противолежащих узких сторонах. Линейки установлены одноименными зеркалами на соответствующих подложках так, что обращенные друг к другу металлизированные широкие стороны линеек соприкасаются с металлизированными полосками и скреплены с ними, образуя последовательную электрическую цепь из всех линеек лазерных диодов. Внешние выводы последовательной цепи линеек лазерных диодов предназначены для подключения к источнику питания. Каналы между соседними линейками лазерных диодов предназначены для пропускания охлаждающей среды. Технический результат заключается в повышении равномерности отвода тепла от лазерных диодов. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил.
Использование: для полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что конструкция полупроводникового лазера на основе гетероструктуры, содержащая лазерный кристалл, теплоотвод со стороны эпитаксиальных слоев гетероструктуры, подводящие ток электроды и гибкие электрические проводники, при этом подводящие ток электроды расположены параллельно оси резонатора лазерного кристалла, а гибкие электрические проводники соединяют подложку гетероструктуры непосредственно с электродами одной полярности. Технический результат: обеспечение возможности повышения мощности излучения лазера в непрерывном режиме генерации или максимальной и средней мощности в импульсном режиме генерации, снижения последовательного сопротивления, повышения кпд, а также повышения надежности, уменьшения габаритов, повышения выхода годных изделий. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
