Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для финишного химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых структур арсенида индия InAs. Технический результат заключается в улучшении качества полирования, упрощении процесса ХМП, уменьшении количества дефектов при полировании, увеличении количества выхода годных чипов. Способ финишного химико-механического полирования пластин InAs включает воздействие на пластину вращающимся полировальником и полирующим составом после предварительного алмазного полирования, при этом обработку поверхности полупроводника проводят полировальником, содержащим поливел, при оборотах со скоростью 55-65 об/мин и давлении на пластину 0,08-0,12 Па, с использованием полировальной суспензии следующего состава: сульфаминовая кислота - 3%, винная кислота - 1%, пероксид водорода - 10% на 100%.