Патенты автора Рыцарев Владимир Викторович (RU)

Изобретение относится к технологии редких и рассеянных элементов и может быть использовано при получении галлия высокой чистоты. Технический галлий подвергают вакуум-термической обработке в вакуумной камере с размещенными в ней графитовыми тиглями, соосно расположенными один над другим. В центре дна тиглей, расположенных над нижним тиглем, выполнен цилиндрический выступ, на боковой поверхности которого по периметру выполнены отверстия. Технический галлий загружают в нижний тигель, камеру вакуумируют до 1·10-3-1·10-5 мм рт.ст., нагревают до температуры 1400-1500°С в области нижнего тигля и поддерживают данную температуру в течение 2-6 часов. Галлий после вакуум-термической обработки подвергают трехкратной кристаллизационной очистке методом направленной кристаллизации при скорости роста кристалла 1 см/час. Техническим результатом является получение металлического галлия с содержанием галлия не менее 99,99999% по массе. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.

 


Наверх