Патенты автора Шикин Александр Михайлович (RU)

Изобретение относится к области спинтроники и компьютерных технологий и предназначено для использования в оперативных запоминающих устройствах. Технический результат заключается в увеличении быстродействия устройства. Устройство записи информации для магниторезистивной оперативной памяти включает магнитный слой с намагниченностью в его плоскости, который выполнен в форме параллелепипеда и соединен с немагнитным слоем, выполненным в виде параллелепипеда, ширина которого соизмерима с шириной магнитного слоя, а его длина в 2-3 раза больше длины магнитного слоя, и изолирующую подложку, на которой расположен немагнитный слой, причем между магнитным слоем и немагнитным слоем расположен ультратонкий слой платины толщиной 0,2-0,5 нм, соизмеримый по форме и размерам с магнитным слоем, немагнитный слой выполнен из двух слоев, один из которых выполнен из графена и расположен в контакте с ультратонким слоем платины, а второй выполнен из монослоя золота и расположен между слоем, выполненным из графена, и изолирующей подложкой. 4 ил.

Использование: для формирования групп поляризованных электронов с заданной ориентацией спина в устройствах твердотельной электроники. Сущность изобретения заключается в том, что графеновый спиновый фильтр содержит монослой графена с двумя ферромагнитными электродами, изолирующий слой, расположенный между монослоем графена и каждым из ферромагнитных электродов, и слой благородного металла, в качестве изолирующего слоя использован буферный монослой графена, размеры которого ограничены размерами ферромагнитного электрода, а слой благородного металла расположен между ферромагнитным электродом и буферным монослоем графена, слой благородного металла состоит из монослоя атомов золота. Технический результат: обеспечение возможности повышения степени спиновой поляризации тока и уменьшения потерь спинового тока. 4 ил.

 


Наверх