Патенты автора Ильин Евгений Юрьевич (RU)
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ // 2586400
Изобретение относится к электронной технике, в частности к процессам формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием электрохимического осаждения и взрывной литографии. Способ фотолитографии включает формирование первого слоя позитивного фоторезиста путем, по меньшей мере, двух циклов нанесения на подложку слоя фоторезиста с последующей его сушкой, экспонирование первого слоя без шаблона, формирование второго слоя позитивного фоторезиста путем, по меньшей мере, двух циклов нанесения на подложку слоя фоторезиста с последующей его сушкой, термообработку при температуре 120-150°С, экспонирование через шаблон и проявление рисунка, причем время экспозиции первого слоя меньше времени экспозиции второго слоя. Технический результат, получаемый при реализации заявляемого изобретения, выражается в реализации расширения арсенала технических средств формирования технологически качественной маски отрицательным углом наклона стенок профиля из позитивного фоторезиста с толщиной 7-15 мкм, что сопровождается уменьшением образования дефектов, достигаются оптимальные параметры края отрицательного профиля, что необходимо для качественного проведения обратной фотолитографии и увеличивает процент выхода годных структур после фотолитографии. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.
