Патенты автора ГЕРЛАХ Филипп Хеннинг (NL)
Группа изобретений относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазерный прибор (100) содержит от двух до шести меза-структур (120), обеспеченных на одном полупроводниковом чипе (110). В каждую из меза-структур (120) встроен оптический резонатор лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором, меза-структуры (120) электрически соединены параллельно. Прибор выполнен так, что ухудшение по поверхности (242) раздела полупроводник-воздух приводит к уменьшению мощности лазерного излучения, испускаемого лазерным прибором при возбуждении заданной входной электрической мощностью. Поверхность (242) раздела полупроводник-воздух расположена на расстоянии от пучности картины стоячей волны оптического поля в резонаторе лазера при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что ухудшение упомянутой по меньшей мере одной поверхности (242) раздела полупроводник-воздух снижает вывод лазерного излучения при возбуждении заданной входной электрической мощностью посредством увеличения коэффициента отражения лазерного прибора. Технический результат заключается в повышении безопасности прибора. 7 н. и 6 з.п. ф-лы, 8 ил.
КОМПАКТНЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ПРИБОР // 2672155
Использование: для создания лазерного прибора. Сущность изобретения заключается в том, что лазерный прибор содержит от двух до шести мезаструктур, обеспеченных на одном полупроводниковом кристалле, причем мезаструктуры электрически соединены параллельно так, что мезаструктуры выполнены с возможностью испускания лазерного излучения в одно и то же время, если на мезаструктуры подано заданное пороговое напряжение, причем лазерный прибор дополнительно содержит драйвер для электрического возбуждения мезаструктур, причем драйвер выполнен с возможностью подачи заданного порогового напряжения на мезаструктуры, причем полупроводниковый кристалл имеет длину стороны менее 250 мкм. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения размера кристалла интегральной схемы при увеличенном выходе. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 9 ил.
Изобретение относится к лазерной технике. Лазер с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSEL) содержит первый электрический контакт, подложку, первый распределенный брэгговский отражатель, активный слой, распределенный биполярный фототранзистор на гетеропереходах, второй распределенный брэгговский отражатель и второй электрический контакт. Распределенный биполярный фототранзистор на гетеропереходах содержит коллекторный слой, светочувствительный слой, базовый слой и эмиттерный слой. Причем распределенный биполярный фототранзистор на гетеропереходах выполнен так, что между активным слоем и распределенным биполярным фототранзистором на гетеропереходах существует оптическая связь для обеспечения удержания активных носителей посредством распределенного биполярного фототранзистора на гетеропереходах так, что оптическая мода лазера с вертикальным резонатором и поверхностным излучением является самоустанавливающейся в соответствии с удержанием активных носителей во время функционирования лазера с вертикальным резонатором и поверхностным излучением. Технический результат заключается в обеспечении возможности повышения надежности VCSEL. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 14 ил.
VCSEL С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМИ КОНТАКТАМИ // 2633643
Использование: для создания лазерного устройства с высокой эффективностью преобразования мощности. Сущность изобретения заключается в том, что лазерное устройство образовано по меньшей мере одним поверхностно-излучающим лазером с вертикальным резонатором с внутрирезонаторными контактами, причем упомянутый поверхностно-излучающий лазер с вертикальным резонатором содержит эпитаксиальную слоистую структуру с активной областью между первым распределенным брэгговским отражателем и вторым распределенным брэгговским отражателем, первым слоем токовой инжекции первого типа проводимости между первым распределенным брэгговским отражателем и активной областью и вторым слоем токовой инжекции второго типа проводимости между вторым распределенным брэгговским отражателем и активной областью, и при этом дополнительно содержит токовую апертуру, причем упомянутые первый и второй слои токовой инжекции находятся в контакте с первым и вторым металлическими контактами соответственно, в котором упомянутые первый и/или второй распределенные брэгговские отражатели образованы из чередующихся слоев оксида алюминия и слоев Al(x)Ga(1-x)As с 0≤x≤0,3, причем первый и второй металлические контакты расположены на противоположных сторонах каждого из упомянутых поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным резонатором, причем имеется по меньшей мере один не подвергнутый травлению стержень к светоизлучающей области лазерного устройства, и причем ширина по меньшей мере одного не подвергнутого травлению стержня равна или меньше, чем двукратная ширина окисления токовой апертуры. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к лазерной технике. Матрица VCSEL содержит несколько VCSEL, расположенных рядом друг с другом на общей подложке (1). Каждый VCSEL образован, по меньшей мере, из верхнего зеркала (5, 14), активной области (4), слоя для инжекции тока (3) и нелегированного нижнего полупроводникового зеркала (2). Слой для инжекции тока (3) установлен между активной областью (4) и нижним полупроводниковым зеркалом (2). По меньшей мере, верхний слой подложки (1) является электропроводным. Канавки (8) и/или отверстия образованы между нижними полупроводниковыми зеркалами (2) упомянутых VCSELs таким образом, чтобы они входили в упомянутый верхний слой упомянутой подложки (1). Металлизация (9) электрически соединяет верхний слой подложки (1) со слоем для инжекции тока (3) посредством упомянутых канавок (8) и/или отверстий. Технический результат заключается в обеспечении возможности осуществления однородной инжекции тока с высоким кпд и высокой плотностью мощности излучения. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.
