Патенты автора Яфаров Андрей Равильевич (RU)
НАНОУГЛЕРОДНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПОДАВЛЕНИЯ ЭМИССИИ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ // 2770303
Изобретение относится к формированию тонких углеродных пленок и может быть использовано для получения антиэмиссионного покрытия на сетках мощных генераторных ламп. Способ получения пленочного покрытия с низкой вторичной электронной эмиссией на подложке включает осаждение наноуглеродного пленочного покрытия в микроволновой плазме и модификацию поверхности пленочного покрытия с использованием микроволновой плазмохимической обработки во фторуглеродной газовой среде при давлении 0,1-0,2 Па и ускоряющем потенциале на подложкодержателе 200-300 В. При этом наноуглеродное пленочное покрытие осаждают толщиной 200-500 нм в высокоионизованной микроволновой плазме паров этанола при давлении (1-2)⋅10-2 Па и температуре подложки 200-300°С, а модификацию поверхности наноуглеродного пленочного покрытия микроволновой плазмохимической обработкой во фторуглеродной газовой среде осуществляют при давлении 0,1-0,2 Па в течение 5-8 мин. Изобретение обеспечивает уменьшение величины обратного потока вторичных электронов из коллектора в пространство взаимодействия прибора, а также повышение КПД коллектора. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области вакуумно-плазменной электроники, в частности к разработке и созданию радиационно-стойких приборов и устройств, работа которых основана на использовании полевых источников электронов, и может быть использовано при изготовлении источников белого света, плоских катодолюминесцентных экранов и дисплеев. Снижение порога автоэмиссии и повышение крутизны вольт-амперных характеристик (ВАХ) полевых источников электронов, изготовленных с использованием наноалмазных пленочных покрытий является техническим результатом изобретения, который достигается за счет уменьшения удельных поверхностных сопротивлений алмазографитовых пленочных структур и наноалмазных покрытий, а также за счет увеличения длительности и частоты импульсов анодного напряжения при эксплуатации источников электронов в импульсно-периодических электрических полях. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют на пластинах монокристаллического кремния дырочного типа проводимости в плазме микроволнового газового разряда осаждением из паров углеродосодержащих веществ, например этанола, углеродных покрытий на кремниевые столбчатые наноструктуры высотой до нескольких десятков нанометров. Для повышения плотностей автоэмиссионных токов используют эмиссионные слои с низкой поперечной электропроводностью. Технический результат - повышение стабильности и эффективности автоэмиссии. 2 ил.
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПЛОТНОСТИ И СТАБИЛЬНОСТИ ТОКА МАТРИЦЫ МНОГООСТРИЙНОГО АВТОЭМИССИОННОГО КАТОДА // 2653843
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют на пластинах монокристаллического кремния в плазме микроволнового газового разряда осаждением из паров углеродосодержащих веществ, например этанола, с использованием явлений самоорганизации и структурирования субмонослойных углеродных покрытий в наноостровковые образования. Для увеличения коэффициента усиления электрического поля и уменьшения, тем самым, рабочих напряжений осуществляют формирование эмиссионных центров в виде интегральных столбчатых наноструктур высотой до нескольких десятков нанометров, которые получают высокоанизотропным травлением кремниевых пластин с использованием полученных углеродных островковых нанообразований в качестве масочного покрытия. Для повышения плотности и стабильности автоэмиссионного тока матрица многоострийного автоэмиссионного катода на поверхности монокристаллического кремния подвергается плазменной обработке для удаления естественного оксидного покрытия в среде хладона-14 при отрицательном смещении на подложкодержателе. Технический результат - повышение плотности и стабильности автоэмиссионных токов.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ МНОГООСТРИЙНОГО АВТОЭМИССИОННОГО КАТОДА НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ // 2652651
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода в виде столбчатых эмиссионных центров высотой до нескольких десятков нанометров осуществляют на пластинах монокристаллического кремния высокоанизатропным травлением с использованием в качестве маски субмонослойных углеродных покрытий, полученных в результате явлений самоорганизации и структурирования в наноостровковые образования при осаждении в плазме микроволнового газового разряда из паров углеродосодержащих веществ, например этанола. Для повышения рабочей плотности тока и долговременной стабильности токоотбора в условиях технического вакуума в столбчатые эмиссионные центры многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют высокодозную имплантацию углерода. Матрица многоострийного автоэмиссионного катода изготавливается по низкотемпературной технологии, совместимой с технологией производства кремниевых интегральных схем. Технический результат - повышение рабочей плотности и долговременной стабильности тока автоэмиссии в условиях технического вакуума. 1 ил.
СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПЛОТНОСТЕЙ ТОКА АВТОЭМИССИИ И ДЕГРАДАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ АВТОЭМИСИОННЫХ КАТОДОВ // 2588611
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии углеродных структур. Синтез материала эмиттера автоэмиссионного катода осуществляют в плазме микроволнового газового разряда из паров углеродосодержащих веществ, например этанола. Образующийся композиционный материал представляет собой графитовую матрицу с включениями наноалмазных кристаллитов. Автоэмиссионный катод изготавливают в виде слоистой структуры с периодически встроенными наноалмазографитовыми пленочными структурами на тонких теплопроводящих диэлектрических подложках, а автоэмиссионный токоотбор осуществляют с торца слоистого автокатода. Изготовление автоэмиссионного катода осуществляется по технологии, совместимой с технологией производства кремниевых интегральных схем. Технический результат - повышение механической и электрической прочности, плотности автоэмиссионных токов и деградационной стойкости при работе с повышенными напряжениями.
