Патенты автора Ерослаев Андрей Викторович (RU)
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. В интегральном логическом элементе ИЛИ-НЕ на основе однослойной трехмерной наноструктуры, содержащем первый и второй логические транзисторы, нагрузочный резистор и подложку, логическая структура выполнена наноразмерной со ступенчатым профилем. Технический результат, достижение которого обеспечивается реализацией всей заявленной совокупности существенных признаков, состоит в том, что создан новый тонкослойный интегральный логический элемент ИЛИ-НЕ на основе слоистой трехмерной наноструктуры с вертикально ориентированными слоями, в котором рабочими переходами «база-эмиттер» и «база-коллектор» являются поверхностные переходы, которые обладают низкой мощностью потребления и наименьшими поверхностями переходов, что обеспечивает снижение потребляемой мощности и повышение быстродействия из-за снижения паразитных емкостей переходов. 13 ил.
