Патенты автора Ашитков Сергей Игоревич (RU)
Изобретение относится к области измерений. Сущность: осуществляют кратковременное нагружение твердого или жидкого образца ударным импульсом до возникновения в нем разрыва или откола. Нагружение твердого или жидкого образца осуществляется ультракоротким ударным импульсом длительностью порядка 10-10 с, который создается одиночным импульсом лазерного излучения фемтосекундной (менее 10-12 с) длительности для достижения скорости деформирования образца на уровне 109÷1010 с-1, а оценку динамической прочности металлов на разрыв в конденсированном состоянии проводят путем непрерывной регистрации процесса движения поверхности образца в пикосекундном диапазоне с временным разрешением 10-12 с с помощью диагностического частотно-модулированного импульса. Технический результат: повышение достоверности определения динамической прочности образца на разрыв в твердом или жидком состоянии при проведении испытаний за счет формирования ультракороткого пикосекундного импульса нагрузки фемтосекундным лазером за время ~10-13÷10-12 с. 6 ил.
Использование: для создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания сквозных микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния с помощью лазерных импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле кремния лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и многоступенчатом перемещении этого пятна в направлении к входной поверхности кристалла, при этом для получения микроканалов с диаметрами микронных и субмикронных размеров в кристалле кремния используют инфракрасный фемтосекундный хром-форстерит лазер, а многоступенчатое перемещение фокального пятна в направлении к входной поверхности кристалла проводят с длиной волны излучения 1240 нм, при которой длина пробега фотона в структуре кремния равна 1 см, а энергия кванта меньше ширины запрещенной зоны. Технический результат: обеспечение возможности упрощения способа создания сквозных микро- и субмикронных каналов в кристалле кремния для создания чипов, имеющих возможность охлаждения внутренних слов структуры.
