Патенты автора Чекушкин Артем Михайлович (RU)

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных сверхпроводниковых структур. Способ изготовления тонкопленочных туннельных переходов методом раздельной литографии включает формирование первой литографией первого слоя из алюминия, нанесение резиста под вторую литографию второго слоя металла, экспозицию в литографе, проявление резиста, формирование туннельного барьера и напыление второго слоя металла. Перед формированием туннельного барьера проводят удаление естественного окисла и очистку поверхности первого слоя из алюминия путем ионного или плазменного травления, а туннельный барьер формируют на подвергнутой указанному травлению поверхности. Технический результат - упрощение технологии изготовления, не требующей химического травления, и снижение требований на выбор материалов для слоев из нормального металла, а также формирование высококачественного туннельного барьера произвольной контролируемой прозрачности. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование: для изготовления воздушных мостиков. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем содержит стадии нанесения и формирования фоторезиста для формирования поддерживающего слоя, нанесения и формирования второго слоя фоторезиста для формирования области перемычки воздушного мостика, нанесения слоя металла мостика, удаления обоих слоев фоторезиста, далее методом фотолитографии из пленки металла (TiAuPd, Cu и др.) на подложке формируют контактные площадки и соединительные проводники, методом фотолитографии из фоторезиста формируется поддерживающий слой полимера в области будущего просвета мостика, нагревом полоски поддерживающего резиста выше температуры растекания достигают формирования профиля поддерживающего слоя куполообразной формы, наносят следующий слой фоторезиста и формируют открытые области для металлизации будущего мостика, напыляют пленку мостика из подходящего материала, совместимого с материалом разводки, например TiAuPd, который отличается хорошей адгезией, высокой электропроводностью и достаточной жесткостью, помещают подложку в ремувер для быстрого удаления металла поверх резиста методом взрыва (lift-off), а также медленного растворения поддерживающего слоя под мостиком. Технический результат: обеспечение возможности повышения воспроизводимости, снижения трудоемкости и времени изготовления перемычек в виде воздушных мостиков, уменьшения сопротивления, индуктивности и емкости таких перемычек, уменьшения количества технологических операций. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области тонкопленочной СВЧ микроэлектроники и антенной техники, в том числе массивам антенн и метаматериалам. Широкополосный детектор терагерцевого излучения состоит из распределенного абсорбера в виде матрицы антенн в конфигурации метаматериала, микроболометров, подключенных к каждому элементу метаматериала. Каждый элемент матрицы метаматериала имеет симметричную форму для обеспечения одинаковой чувствительности к обеим поляризациям, элементы матрицы представляют собой электрические замкнутые контуры. Позади метаматериала абсорбера расположена дополнительная плоскость, отделенная от метаматериала слоем диэлектрика. Матрица антенн выполнена из сильно взаимодействующих между собой кольцевых электрически малых планарных антенн в конфигурации метаматериала, в разрыв которых включены по четыре болометра структуры Сверхпроводник-Изолятор-Нормальный металл-Изолятор-Сверхпроводник, соединенных последовательно по току смещения и сигналу считывания. Технический результат заключается в расширении спектральной полосы согласования, увеличении быстродействия детектора, снижении трудоемкости и времени изготовления устройства, уменьшении количества технологических операций и в применении стандартных методов и материалов тонкопленочной микроэлектроники. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области тонкопленочной сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению высокочувствительных болометров, электронных охладителей, одноэлектронных транзисторов, содержащих свободно висящий микромостик нормального металла и сверхпроводниковые переходы типа сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), сверхпроводник-изолятор-другой сверхпроводник (СИС'), а также андреевские контакты (сверхпроводник-андреевский контакт-нормальный металл) и структуры с барьером Шоттки (сверхпроводник-барьер Шоттки-полупроводник). Предложенный способ состоит из нанесения без разрыва вакуума трехслойной тонкопленочной структуры; нанесения резиста, экспозиции, проявления; селективного химического травления нижнего электрода трехслойной структуры, при этом перед напылением трехслойной структуры типа сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН) проводят фотолитографию, методом взрыва формируют топологию СИН структуры, и проводят однократное травление в щелочном проявителе, совмещенное с проявлением резиста с рисунком окон, при этом разрыв верхнего электрода образуется на ступеньке на границе подводящих проводников, существенным признаком является необходимость выполнения условия, что толщина верхнего нормального электрода меньше, а толщина нижнего алюминиевого электрода больше толщины нижней пленки электрических проводников. Предложены четыре варианта способа. Технический результат состоит в повышении воспроизводимости, снижении трудоемкости и времени изготовления структур, увеличении площади туннельных переходов более 1 мкм2 при снижении толщины верхнего электрода и перемычки абсорбера менее толщины нижнего электрода, снятии ограничения на форму переходов, устранении паразитных теней, устранении паразитных шунтирующих емкостей и сопротивлений утечки, уменьшении количества технологических ступеней литографии. 4 н.п. ф-лы, 1 ил.

Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию, проявление; селективное химическое или ионное травление трехслойной структуры, после стравливания трехслойной структуры проводят планаризацию поверхности напылением через маску диэлектрика толщиной, равной толщине трехслойной структуры, после чего удаляют диэлектрик вне области туннельных переходов и наносят тонкую пленку перемычки (абсорбера) из нормального металла или другого сверхпроводника, при этом этот слой перемычки наносится на планаризованную поверхность и может быть существенно тоньше предыдущих слоев, менее 10 нм. Технический результат: обеспечение возможности повышения воспроизводимости многоэлементных интегральных сверхпроводниковых схем, снятия ограничения на форму площади переходов, толщину верхнего электрода, устранения паразитных закороток. 4 н.п. ф-лы, 1 ил.

 


Наверх