Патенты автора Дудко Галина Михайловна (RU)

Использование: для построения высоконадежных помехоустойчивых телекоммуникационных систем. Сущность изобретения заключается в том, что мажоритарный элемент на спиновых волнах содержит структуру, выполненную в виде пластины из диэлектрика, с нанесенным на одну сторону слоем магнитоактивной среды, на котором сформированы входные и выходной преобразователи спиновых волн, источник постоянного магнитного поля, размещенный в зоне нахождения структуры. Входные преобразователи спиновых волн размещены в вершинах воображаемого прямоугольника, образованного на поверхности слоя магнитоактивной среды, выходной преобразователь спиновых волн расположен в месте пересечения диагоналей указанного прямоугольника, при этом направление вектора Н источника магнитного поля совпадает с длиной указанного прямоугольника, а входные преобразователи спиновых волн имеют ориентацию относительно направления вектора Н источника магнитного поля, выбранную из условия возбуждения ограниченных по ширине пучков спиновых волн. Технический результат: обеспечение возможности существенной миниатюризации мажоритарного элемента без усложнения технологии его изготовления. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для обработки сигналов в широкополосных СВЧ системах различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что регулируемая СВЧ линия задержки на магнитостатических волнах, содержит установленную неподвижно на основании диэлектрическую подложку с расположенными на ней параллельно и разнесенными друг от друга микрополосковыми преобразователями поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ), магнитоактивный элемент, выполненный в виде прямоугольной пластины из диэлектрика с нанесенной на одну сторону пленкой железоиттриевого граната, связанный со средством перемещения относительно основания и обращенный пленкой к преобразователям ПМСВ, постоянный магнит подмагничивания, размещенный в зоне нахождения магнитоактивного элемента, при этом на свободной поверхности пленки железоиттриевого граната образована периодическая структура в виде ряда канавок одинакового размера, средство перемещения магнитоактивного элемента относительно основания выполнено с возможностью вращения в плоскости диэлектрической подложки, при этом наименьшее время задержки соответствует положению продольной оси канавок, параллельной оси преобразователей ПМСВ, а постоянный магнит расположен так, что вектор поля подмагничивания лежит в плоскости диэлектрической подложки и соосно микрополоскам преобразователей ПМСВ. Технический результат: обеспечение возможности управления временем задержки СВЧ сигнала без изменения величины поля и постоянного магнита. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

 


Наверх