Патенты автора Букашкина Татьяна Леонидовна (RU)

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота. Изобретение может быть использовано в экологии. Предложен полупроводниковый датчик диоксида азота, состоящий из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки твердого раствора состава (InAs)0,84(ZnS)0,16, которая нанесена на непроводящую подложку. Датчик согласно изобретению обеспечивает возможность при существенном упрощении технологии его изготовления определять содержание диоксида азота с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Предложен полупроводниковый датчик оксида углерода, который состоит из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки твердого раствора состава (CdTe)0,25(CdSe)0,75 и подложки, которой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Датчик, выполненный согласно изобретению, позволяет определять содержание оксида углерода с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков при существенном упрощении технологии его изготовления. 3 ил.

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для измерения содержания микропримесей оксида углерода и других газов. Полупроводниковый газовый датчик содержит полупроводниковое основание и подложку, при этом полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки твердого раствора (CdTe)0,74(CdSe)0,26, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Техническим результатом является повышение чувствительности датчика. 3 ил.

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Датчик состоит из полупроводникового основания 1, выполненного в виде поликристаллической пленки твердого раствора состава (CdSe)0,85(CdTe)0,15 и подложки, которой служит электродная площадка 2 пьезокварцевого резонатора 3. Датчик, выполненный согласно изобретению при существенном упрощении технологии его изготовления, позволяет определять содержание оксида углерода с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. 3 ил.

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей кислорода. Изобретение может быть использовано для экологического мониторинга. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки твердого раствора теллурида кадмия, легированного селенидом кадмия состава (CdSe)0,5(CdTe)0,5, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Заявляемый датчик при существенном упрощении технологии его изготовления позволяет определять содержание кислорода с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. 3 ил.

Изобретение относится к катализаторам окисления оксида углерода (II), перспективным для очистки отходящих газов, а именно к катализатору окисления оксида углерода, содержащему теллурид кадмия, легированный селенидом кадмия CdTe (CdSe). Техническим результатом является повышение активности катализатора по отношению к реакции окисления оксида углерода при пониженных температурах. 1 табл.

 


Наверх