Патенты автора МАРСЕЛИС Боут (NL)
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С МАТРИЦЕЙ СЕНСОРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, СЕНСОРНОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ // 2650087
Изобретение относится к аналитической химии. Раскрыта сенсорная матрица интегральной схемы (100), содержащей полупроводниковую подложку (110); изолирующий слой (120) поверх упомянутой подложки; первый транзистор (140a) на упомянутом изолирующем слое, содержащий открытую функционализированную область (146a) канала между областью (142a) истока и областью стока (144) для восприятия аналита в среде; второй транзистор (140b) на упомянутом изолирующем слое, содержащий открытую область (146b) канала между областью (142b) истока и областью (144) стока для восприятия потенциала упомянутой среды; и генератор (150) напряжения смещения, проводящим образом связанный с полупроводниковой подложкой для подачи на упомянутые транзисторы напряжения смещения, при этом упомянутый генератор напряжения смещения является реагирущим на упомянутый второй транзистор. Также раскрыты сенсорное устройство, содержащее такую ИС, и способ измерения аналита с использованием такой ИС. Изобретение обеспечивает формирование сенсорного устройства простой конструкции. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 6 ил.
Использование: для изготовления емкостного преобразователя. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости преобразователя, осаждают вторую диэлектрическую пленку на жертвенный слой и осаждают второй электродный слой на вторую диэлектрическую пленку, формируют рисунок в, по меньшей мере, одном(й) из осажденных слоев и пленок, причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения в одной единственной последовательности обработки и формирование рисунка осуществляется по нисходящей технологии. Технический результат: обеспечение возможности создания преобразователя с улучшенными эксплуатационными показателями. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для изготовления емкостного преобразователя, полученного микрообработкой, в частности CMUT. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости преобразователя, осаждают вторую диэлектрическую пленку на жертвенный слой и осаждают второй электродный слой на вторую диэлектрическую пленку, причем первая диэлектрическая пленка и/или вторая диэлектрическая пленка содержит первый слой, содержащий оксид, второй слой, содержащий материал с высокой k, и третий слой, содержащий оксид, причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения. Технический результат: обеспечение возможности создания емкостного преобразователя с улучшенными эксплуатационными показателями. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для передачи и/или приема ультразвуковых волн посредством ультразвукового преобразователя. Сущность изобретения заключается в том, что устройство ультразвукового преобразователя содержит, по меньшей мере, одну ячейку (30) cMUT для передачи и/или приема ультразвуковых волн, причем ячейка (30) cMUT содержит мембрану (30a) ячейки и полость (30b) под мембраной ячейки. Устройство дополнительно содержит подложку (10), имеющую первую сторону (10a) и вторую сторону (10b), причем, по меньшей мере, одна ячейка (30) cMUT установлена на первой стороне (10a) подложки (10). Подложка (10) содержит слой (12) основания подложки и множество смежных канавок (17a), простирающиеся в подложку (10) в направлении, перпендикулярном сторонам (10a, 10b) подложки, причем каждый из разделителей (12a) образован между смежными канавками (17a). Подложка (10) дополнительно содержит соединительную полость (17b), которая соединяет канавки (17a) и которая простирается в направлении, параллельном сторонам (10a, 10b) подложки, причем канавки (17a) и соединительная полость (17b) вместе образуют полость (17) подложки в подложке (10). Подложка (10) дополнительно содержит мембрану (23) подложки, покрывающую полость (17) подложки. Полость (17) подложки расположена в области подложки (10) под ячейкой (30) cMUT. Технический результат: обеспечение возможности снижения или подавления акустической связи ультразвуковых волн с подложкой. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 32 ил.
ПРЕДВАРИТЕЛЬНО СЖАТАЯ ЯЧЕЙКА ЕМКОСТНОГО МИКРООБРАБОТАННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С НАПРЯЖЕННЫМ СЛОЕМ // 2603518
Изобретение относится к предварительно сжатой ячейке (10) емкостного микрообработанного преобразователя, содержащей подложку (12) и мембрану (14), покрывающую суммарную площадь (Atotal) мембраны, причем между мембраной (14) и подложкой (12) образована полость (20), причем мембрана содержит отверстие (15) и краевой участок (14a), окружающий отверстие (15). Ячейка (10) дополнительно содержит напряженный слой (17) на мембране (14), причем напряженный слой (17) имеет заданное значение напряжения относительно мембраны (14), причем напряженный слой (17) выполнен с возможностью обеспечения изгибающего момента на мембране (14) в направлении к подложке (12) так, что краевой участок (14a) мембраны (14) прижимается к подложке (12). Настоящее изобретение дополнительно относится к способу изготовления такой предварительно сжатой ячейки (10) емкостного микрообработанного преобразователя. Технический результат - обеспечение усовершенствованной предварительно сжатой ячейки емкостного микрообработанного преобразователя и способа ее изготовления. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 10 ил.
Изобретение относится к устройству (10) с переходными отверстиями в подложке, содержащему подложку (12), выполненную из материала подложки и имеющую первую поверхность (12а) подложки и вторую поверхность (12b) подложки, противоположную первой поверхности (12а) подложки. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке также содержит множество соседних первых канавок (14), обеспеченных проводящим материалом и проходящих с первой поверхности (12а) подложки внутрь подложки (12), так что между первыми канавками (14) формируется множество спейсеров (16) из материала подложки. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке также содержит вторую канавку (18), обеспеченную проводящим материалом и проходящую со второй поверхности (12b) подложки внутрь подложки (12). Вторая канавка (18) соединена с первыми канавками (14). Устройство 10 с переходными отверстиями в подложке также содержит проводящий слой (20), выполненный из проводящего материала и сформированный на стороне первой поверхности (12а) подложки, причем проводящий материал заполняет первые канавки (14), так что первый проводящий слой (20) имеет по существу планарную и закрытую поверхность, покрывающую заполненные первые канавки и формирующую электрическое соединение между заполненными канавками. Изобретение обеспечивает создание усовершенствованного устройства с переходными отверстиями в подложке. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.
ЯЧЕЙКА ЕМКОСТНОГО МИКРООБРАБОТАННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНО ПРИЖАТОГО ТИПА С ЗАГЛУШКОЙ // 2595800
Настоящее изобретение относится к ячейке (10) емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа, содержащей подложку (12) и мембрану (14), покрывающую полную мембранную область (Аполн), при этом между мембраной (14) и подложкой (12) образована полость (20), мембрана (14) содержит отверстие (15) и краевую часть (14а), окружающую отверстие (15), причем краевая часть (14а) мембраны (14) прижата к подложке (12). Ячейка дополнительно содержит заглушку (30), размещенную в отверстии (15) мембраны (14), причем заглушка (30) расположена только в подобласти (Апод) полной мембранной области (Аполн). Настоящее изобретение дополнительно относится к способу изготовления этой ячейки (10) емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа. Технический результат - улучшение ячейки емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа, в частности, для высоких частот. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 4 ил.
