Патенты автора СТЕЙДЖЕРУОЛД Дэниел Александер (NL)
Структура светоизлучающего устройства содержит опорную подложку, содержащую тело и множество сквозных отверстий, проходящих через всю толщину тела; и полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью p-типа, причем полупроводниковое светоизлучающее устройство присоединено к опорной подложке посредством диэлектрического соединяющего слоя; при этом опорная подложка является не более широкой, чем полупроводниковое светоизлучающее устройство, и при этом соединяющий слой является первым соединяющим слоем, образованным на полупроводниковом светоизлучающем устройстве, при этом упомянутая структура дополнительно содержит второй соединяющий слой, образованный на опорной подложке. Процесс обработки целой полупроводниковой пластины может снизить стоимость, позволяя выполнять на целой полупроводниковой пластине некоторые этапы обработки, которые обычно выполняются при разделении полупроводниковой пластины, а также повысить эффективность излучения.13 з.п. ф-лы, 10 ил.
Структура (10) светоизлучающих диодов (СИДов) имеет полупроводниковые слои, включающие в себя слой p-типа, активный слой и слой n-типа. Слой p-типа имеет нижнюю поверхность, а слой n-типа имеет верхнюю поверхность, через которую излучается свет. Участки слоя p-типа и активного слоя стравливают, открывая слой n-типа. На поверхности СИДа формируют рисунок с помощью фоторезиста и на открытых поверхностях осаждают медь, формируя p- и n-электроды, находящиеся в электрическом контакте с соответствующими им полупроводниковыми слоями. Между p- и n-электродами имеется зазор. Для обеспечения механической поддержки полупроводниковых слоев в пределах зазора в зазоре формируют диэлектрический слой (34) с последующим заполнением зазора металлом (42). В металле формируют рисунок, чтобы сформировать столбиковые выводы (40, 42, 44), которые, по существу, покрывают нижнюю поверхность кристалла СИДа, но не замыкают электроды накоротко. По существу, равномерное покрытие поддерживает полупроводниковый слой во время последующих этапов обработки. Изобретение обеспечивает стойкую к механическим воздействиям опорную структуру и повышенное термическое сопротивление. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 9 ил.
