Патенты автора Комиссаренко Филипп Эдуардович (RU)
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в сканирующей зондовой микроскопии. Зонд для сканирующей зондовой микроскопии содержит кантилевер для атомно-силовой микроскопии с оптически активной областью, находящейся на острие иглы кантилевера. Активная область представляет с собой гибридную наночастицу из полупроводникового материала с металлическим покрытием диаметром 50-300 нм. Материалом кантилевера является кремний или нитрид кремния, а наночастица состоит из кремния с золотым покрытием. Способ изготовления зонда заключается в формировании на острие иглы кантилевера наночастицы с формой, близкой к сфероиду. В одном из вариантов способа наночастицу из полупроводникового материала предварительно изготавливают методом лазерной абляции из слоистой металл-полупроводниковой структуры, осажденной на прозрачную подложку, после чего наночастицу вместе с кантилевером помещают в камеру сканирующего электронного микроскопа, где осуществляют перенос наночастицы с подложки на острие иглы кантилевера металлическим острием, расположенным на трехкоординатном микроманипуляторе в камере сканирующего электронного микроскопа. Во втором варианте полупроводниковую наночастицу формируют непосредственно на острие иглы кантилевера путем облучения острия нефункционализированного полупроводникового кантилевера для атомно-силовой микроскопии, приведенного в контакт с поверхностью тонкого металлического слоя, лазерными импульсами длительностью не более микросекунды. Техническое решение обеспечивает высокое пространственное разрешение и субволновое разрешение. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к электронно-лучевой технологии и может быть использовано в оптике, фотонике, интегральной оптике, наноплазмонике и электронике. Способ получения металлических пленок заданной формы заключается в том, что на подложку с высоким электрическим сопротивлением предварительно наносят пленку металла толщиной 50-100 нм, облучают сканирующим электронным лучом с энергией электронов 3-10 кэВ, дозой 20-100 мКл/см2 и проводят химическое травление металлической пленки до ее исчезновения на участках подложки, не облученных электронами. Достоинством способа является то, что металлические пленки заданной формы могут быть изготовлены на любых диэлектрических или полупроводниковых подложках или пленках с высоким электрическим сопротивлением, а также на химически стойких полимерах. 5 ил.
