Патенты автора Мухин Иван Сергеевич (RU)
Эластичная светодиодная матрица // 2793120
Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания эластичных полупрозрачных светоизлучающих дисплеев и элементов носимой электроники. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодная матрица включает массив неорганических нитевидных нанокристаллов из полупроводниковых III-нитридных соединений в качестве светоизлучающего элемента, при этом в качестве материала мембраны используется эластичный силоксан, а в качестве электрода используется эластичная матрица пикселей, к каждому пикселю осуществляется индивидуальная адресация эластичными контактными дорожками волнообразной формы. Технический результат заключается в формировании эластичной светодиодной мембраны НМК/ПДМС и эластичного электрода в виде пикселей и подводящих дорожек к мембране светодиодной матрицы. 6 ил.
Группа изобретений относится к области материаловедения, оптоэлектронной технике и может быть использована для создания фотосенсоров и элементов носимой электроники, обладающих гибкостью и одновременно фотолюминесцирующих в видимом диапазоне длин волн при облучении УФ- и ИК-излучением. Описан формовочный раствор для получения нетканого композитного материала, включающий полимер, растворитель и неорганические наночастицы в виде квантовых точек. В качестве полимера используют сополимер тетрафторэтилена винилиденфторида, в качестве растворителя бутилацетат с диметилформамидом в объемном соотношении 1:1, а в качестве наночастиц используют квантовые точки галогенидных стехиометрических перовскитов CsPbBr3, высушенных в толуоле. Количество наночастиц в формовочном растворе составляет не более 3 % от массы полимера, а количество полимера 12-13 % от массы растворителя. Описан также нетканый композитный материал, полученный методом электроформования формовочного раствора, содержащего в качестве полимера тетрафторэтилен винилиденфторида, а в качестве наночастиц - квантовые точки галогенидных перовскитов CsPbBr3. Технический результат – получение раствора и формование из него гибкого нетканого материала, обладающего фотолюминесценцией, в том числе двухфотонной, в видимом диапазоне длин волн. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области формирования микроструктур для использования в различных оптоэлектронных устройствах, а более конкретно к области формирования лазерных микрорезонаторов, обладающих одночастотным спектром излучения. Задачей настоящего изобретения является разработка простого в реализации способа селекции мод в работающих при комнатной температуре микролазерах, который бы был эффективен по отношению ко всем типам мод микрорезонатора, как радиальным, так и азимутальным. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является увеличение максимальной интенсивности излучения лазерной моды оптического микрорезонатора в 20 раз и увеличение коэффициента подавления боковых мод на 14 дБ. В способе селекции оптических мод микрорезонатора формируют осесимметричный микрорезонатор с помощью травления слоистой полупроводниковой структуры, формируют наноантенну, примыкающую к внешней боковой поверхности микрорезонатора и вытянутую в направлении, перпендикулярном слоям слоистой полупроводниковой структуры, наноантенну формируют под действием сфокусированного электронного пучка в присутствии газа-прекурсора. 8 з.п. ф-лы, 8 ил.
Использование: для синтеза полых квазиодномерных наноструктур. Сущность изобретения заключается в том, что способ роста GaN нанотрубок, активированного легирующей примесью Si на подложке Si с тонким буферным слоем AlN, включает осаждение материалов методом молекулярно-пучковой эпитаксии, перед осаждением ростового материала происходит удаление оксидного слоя в условиях сверхвысокого вакуума, далее следует эпитаксиальное осаждение буферного слоя на ростовую подложку, эпитаксиальное осаждение материалов синтезируемой нанотрубки на ростовую подложку, эпитаксиальное осаждение на ростовую подложку атомов элемента, который, взаимодействуя с поверхностными атомами растущего кристалла, влияет на кинетику и/или динамику ростового процесса. Технический результат: обеспечение возможности улучшения качества кристаллической решетки и качества огранки. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания сенсорных экранов, солнечных батарей, конструкция которых включает элементы, одновременно прозрачные для света и проводящие электрический ток. Прозрачный электрод с асимметричным пропусканием света, содержит прозрачную подложку, выполненную из гибкого материала, на которую нанесен проводящий слой из Al с упорядоченно расположенными отверстиями, покрытыми прозрачными сферическими микрочастицами, что обеспечивает более широкую область применения устройства. В алюминиевой пленке выполнены отверстия радиуса 300-700 нм, расположенные в виде гексагональной решетки, которая обеспечивает плотную упаковку фокусирующих микросфер, покрывающих отверстия. Наложенные на отверстия прозрачные сферы реализуют эффект фотонного наноджета и коллимируют падающее на них оптическое излучение в проходящие через отверстия пучки диаметром меньше длины волны падающего излучения и значительно меньше радиуса сферы. Система отверстий в проводящем слое, соответствующая плотной упаковке микросфер, создается методом микросферной фотолитографии. Плотноупакованные монослои микросфер наносятся методом центрифугирования. Технический результат заключается в расширении области применения пригодного для производства в промышленных масштабах, в том числе с применением рулонных технологий, и решается задача расширения функциональных возможностей прозрачного электрода. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в сканирующей зондовой микроскопии. Зонд для сканирующей зондовой микроскопии содержит кантилевер для атомно-силовой микроскопии с оптически активной областью, находящейся на острие иглы кантилевера. Активная область представляет с собой гибридную наночастицу из полупроводникового материала с металлическим покрытием диаметром 50-300 нм. Материалом кантилевера является кремний или нитрид кремния, а наночастица состоит из кремния с золотым покрытием. Способ изготовления зонда заключается в формировании на острие иглы кантилевера наночастицы с формой, близкой к сфероиду. В одном из вариантов способа наночастицу из полупроводникового материала предварительно изготавливают методом лазерной абляции из слоистой металл-полупроводниковой структуры, осажденной на прозрачную подложку, после чего наночастицу вместе с кантилевером помещают в камеру сканирующего электронного микроскопа, где осуществляют перенос наночастицы с подложки на острие иглы кантилевера металлическим острием, расположенным на трехкоординатном микроманипуляторе в камере сканирующего электронного микроскопа. Во втором варианте полупроводниковую наночастицу формируют непосредственно на острие иглы кантилевера путем облучения острия нефункционализированного полупроводникового кантилевера для атомно-силовой микроскопии, приведенного в контакт с поверхностью тонкого металлического слоя, лазерными импульсами длительностью не более микросекунды. Техническое решение обеспечивает высокое пространственное разрешение и субволновое разрешение. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции и составу слоев фотоэлектрических преобразователей с несколькими переходами. Задачей заявляемого изобретения является создание фотоэлектрического преобразователя с несколькими р-n-переходами, отличающегося повышенным КПД за счет введения в состав фотопреобразователя близких по параметру решетки с кремнием слоев на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А2В4С52. В качестве подложки для фотоэлектрического преобразователя выбран кристаллический кремний, обладающий высокими прочностными и теплопроводными характеристиками. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является использование в составе фотоэлектрического преобразователя полупроводниковых слоев соединений А2В4С52, близких по параметру решетки к кремнию, например слои ZnGeP2 и ZnSiP2, в результате чего не происходит формирование кристаллических дефектов, таких как дислокации несоответствия, что приводит к увеличению квантовой эффективности преобразования оптического излучения фотопреобразователя, при этом результат достигается за счет увеличения времени жизни неосновных носителей заряда по причине уменьшения плотности кристаллических дефектов за счет использования полупроводниковых слоев соединений А2В4С52, близких по параметру решетки к кремнию, например слои ZnGeP2 и ZnSiP2. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к электронно-лучевой технологии и может быть использовано в оптике, фотонике, интегральной оптике, наноплазмонике и электронике. Способ получения металлических пленок заданной формы заключается в том, что на подложку с высоким электрическим сопротивлением предварительно наносят пленку металла толщиной 50-100 нм, облучают сканирующим электронным лучом с энергией электронов 3-10 кэВ, дозой 20-100 мКл/см2 и проводят химическое травление металлической пленки до ее исчезновения на участках подложки, не облученных электронами. Достоинством способа является то, что металлические пленки заданной формы могут быть изготовлены на любых диэлектрических или полупроводниковых подложках или пленках с высоким электрическим сопротивлением, а также на химически стойких полимерах. 5 ил.
