Патенты автора ВЕНКАТАРАМАН Шиам Сундар (DE)
Очищающая композиция после химико-механического полирования (после-СМР), содержащая: (А) соединение, представляющее собой цистеин, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное, (В) эритрит, (С) водную среду и (Е) по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество, и ее применение для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих электропроводящие слои (такие как медные слои), электроизолирующие диэлектроизолирующие диэлектрические слои (такие как слои диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью) и барьерные слои (такие как слои тантала, нитрида тантала, нитрида титана или рутения), т.е. изобретение относится к применению очищающей композиции после СМР для удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол после СМР. 6 н. и 20 з.п. ф-лы, 5 табл., 3 ил.
Изобретение главным образом относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и ее применению в полирующих субстратах полупроводниковой промышленности. Композиция содержит (A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь, или их композит, (B) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, (C) водную среду и (D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN. Изобретение также относится к способу получения полупроводниковых устройств, включающему полирование субстрата в присутствии указанной композиции, и применению композиции для полирования субстрата, содержащего нитрид кремния и/или поликремний. Композиция проявляет улучшенные полирующие характеристики. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 табл.
