Патенты автора СУ Исон Ю-Шен (TW)
Изобретение главным образом относится к композиции для химико-механического полирования (ХМП) и ее применению в полирующих субстратах полупроводниковой промышленности. Композиция содержит (A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь, или их композит, (B) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, (C) водную среду и (D) сахарный спирт в качестве подавителя SiN. Изобретение также относится к способу получения полупроводниковых устройств, включающему полирование субстрата в присутствии указанной композиции, и применению композиции для полирования субстрата, содержащего нитрид кремния и/или поликремний. Композиция проявляет улучшенные полирующие характеристики. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 табл.
