Патенты автора Сорокин Сергей Валерьевич (RU)
Изобретение относится к области оптоэлектроники. Устройство для получения поляризованного света со степенью линейной поляризации света ~(50-60):1 включает в себя источник (1) импульсного или постоянного неполяризованного света, в качестве которого используется, например, коммерческий светодиод на основе III-нитридов сине-зеленого, синего или ультрафиолетового диапазона (с длиной волны излучения в диапазоне 380-550 нм), и внешний поляризующий элемент (2), выполненный в виде подложки (3) из GaAs с ориентацией (001), на которой сформирован слой толщиной ~150-250 нм, состоящий из нанопластинок (4) двумерного кристалла GaSe, ориентированных вдоль выделенных направлений <111> подложки GaAs. Внешний поляризующий элемент (2), в качестве которого выступает массив ориентированных нанопластинок (4) из GaSe, спонтанно формируется при выращивании слоя GaSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке (3) GaAs с ориентацией (001) в диапазоне температур эпитаксиального роста TS=500-520°C. Устройство имеет малые размеры, определяемые главным образом размерами источника неполяризованного света, высокую эффективность преобразования неполяризованного излучения в поляризованное (до 90% по интенсивности) и высокую степень линейной поляризации света (50:1 и более). 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
ЧЕТЫРЕХПЕРЕХОДНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2610225
Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2), (3), (4), (5), соединенные между собой туннельными p-n переходами (6, 7, 8), метаморфный градиентный буферный слой (9) между первым (2) и вторым (3) субэлементами и контактный слой (10). Первый субэлемент (2) включает подложку (1) из p-Ge, слой (11) из n-Ge, слой (12) широкозонного окна из n-GalnP и буферный слой (13) из n-GaInAs, второй субэлемент (3) включает слой (14) из p-GalnAs и слой (15) из n-GaInAs, третий субэлемент (4) включает слой (16) из p-AIGalnAs и слой (17) из n-AlGaInAs, а четвертый субэлемент (5) включает короткопериодные сверхрешетки А2В6 p- и n-типа (18, 19). Второй, третий и четвертый субэлементы многопереходного солнечного элемента согласованы по постоянной решетки с InxGa1-xAs (x=0,25-0,3), а первый (Ge) субэлемент многопереходного солнечного элемента псевдоморфен подложке (1) из p-Ge. Четырехпереходный солнечный элемент более прост в изготовлении и имеет более высокое значение ширины запрещенной зоны (более 2 эВ) верхнего широкозонного субэлемента (5), что позволяет получить высокое значение КПД преобразования коротковолновой части солнечного излучения. 2 пр., 3 ил.
ЧЕТЫРЕХПЕРЕХОДНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2599064
Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2, 3, 4, 5), согласованные по постоянной решетки с подложкой (1) из p-Ge и соединенные между собой туннельными р-n-переходами (6, 7, 8), и контактный слой (9), при этом первый субэлемент (2) включает подложку (1) из p-Ge, слой (10) из n-Ge, слой (11) широкозонного окна из n-GaInP и буферный слой (12) из n-GaInAs, второй субэлемент (3) включает слой (13) из p-GaInAs и слой (14) из n-GaInAs, третий субэлемент (4) включает слой (15) из p-AlGaInAs и слой (16) из n-AlGaInAs, а четвертый субэлемент (5) включает короткопериодные сверхрешетки А2В6 р- и n-типа (17, 18). Изобретение обеспечивает простоту изготовления, получение высокого значения КПД преобразования коротковолновой части солнечного излучения. 3 ил.
