Патенты автора Климко Григорий Викторович (RU)

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным фотоэлектрическим преобразователям мощного оптического излучения с соединительными туннельными диодами. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя содержит верхнюю субструктуру (1), нижнюю субструктуру (2), выполненные, например, из GaAs, сопряженные между собой туннельным диодом (3). Туннельный диод (3) содержит: сильнолегированный слой (4) р-типа проводимости из AlGaAs, нелегированный слой (5) из GaAs с собственной проводимостью толщиной 1-3 нм, сильнолегированный слой (6) n-типа проводимости из GaAs и слой (7) n-типа проводимости из AlGaAs. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя имеет высокую плотность пикового туннельного тока. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2), (3), (4), (5), соединенные между собой туннельными p-n переходами (6, 7, 8), метаморфный градиентный буферный слой (9) между первым (2) и вторым (3) субэлементами и контактный слой (10). Первый субэлемент (2) включает подложку (1) из p-Ge, слой (11) из n-Ge, слой (12) широкозонного окна из n-GalnP и буферный слой (13) из n-GaInAs, второй субэлемент (3) включает слой (14) из p-GalnAs и слой (15) из n-GaInAs, третий субэлемент (4) включает слой (16) из p-AIGalnAs и слой (17) из n-AlGaInAs, а четвертый субэлемент (5) включает короткопериодные сверхрешетки А2В6 p- и n-типа (18, 19). Второй, третий и четвертый субэлементы многопереходного солнечного элемента согласованы по постоянной решетки с InxGa1-xAs (x=0,25-0,3), а первый (Ge) субэлемент многопереходного солнечного элемента псевдоморфен подложке (1) из p-Ge. Четырехпереходный солнечный элемент более прост в изготовлении и имеет более высокое значение ширины запрещенной зоны (более 2 эВ) верхнего широкозонного субэлемента (5), что позволяет получить высокое значение КПД преобразования коротковолновой части солнечного излучения. 2 пр., 3 ил.

Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2, 3, 4, 5), согласованные по постоянной решетки с подложкой (1) из p-Ge и соединенные между собой туннельными р-n-переходами (6, 7, 8), и контактный слой (9), при этом первый субэлемент (2) включает подложку (1) из p-Ge, слой (10) из n-Ge, слой (11) широкозонного окна из n-GaInP и буферный слой (12) из n-GaInAs, второй субэлемент (3) включает слой (13) из p-GaInAs и слой (14) из n-GaInAs, третий субэлемент (4) включает слой (15) из p-AlGaInAs и слой (16) из n-AlGaInAs, а четвертый субэлемент (5) включает короткопериодные сверхрешетки А2В6 р- и n-типа (17, 18). Изобретение обеспечивает простоту изготовления, получение высокого значения КПД преобразования коротковолновой части солнечного излучения. 3 ил.

 


Наверх