Патенты автора СТЕЙНЕР Квентин (FR)
САМООТНОСИМЫЙ ЭЛЕМЕНТ МАГНИТНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ, СОДЕРЖАЩИЙ СИНТЕТИЧЕСКИЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ СЛОЙ // 2599948
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении низкого потребления питания и увеличенной скорости при записи и чтении ячейки памяти. Элемент оперативной памяти (MRAM) содержит магнитный туннельный переход, содержащий: запоминающий слой; слой считывания; и туннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания; причем запоминающий слой содержит первый магнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания; второй магнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания; и немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй магнитные слои так, что первая намагниченность запоминания, по существу, антипараллельна второй намагниченности запоминания; причем первый и второй магнитные слои сконфигурированы так, что при температуре чтения первая намагниченность запоминания, по существу, равна второй намагниченности запоминания; и при температуре записи, которая выше, чем температура чтения, вторая намагниченность запоминания больше, чем первая намагниченность запоминания. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 10 ил.
