Патенты автора Морозова Кристина Александровна (RU)

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского. Выращивание осуществляют из неподвижного тигля с программированием скоростей вытягивания и вращения затравки, при этом после выхода на требуемый диаметр вытягивание цилиндрической части проводят при скоростях вращения, значения которых соответствуют числам Рейнольдса 100-150. В указанном режиме на поверхности расплава образуется система двух обращающихся вокруг кристалла диаметрально противоположных конвективных ячеек переохлажденного расплава более темного цвета, чем остальная поверхность. Далее с периодом 600-800 с применяют реверсивное изменение направления вращения затравки с кристаллом на противоположное в течение всего времени вытягивания. Равномерное уменьшение скорости вращения, переключение направления вращения, также как и равномерное увеличение скорости вращения до прежнего абсолютного значения, осуществляют за время 200-240 с. Реверсивное вращение приводит к периодическому разрушению застойной области расплава под центральной - приосевой частью поверхности растущего кристалла, что обеспечивает более равномерное распределение примесей и других структурных дефектов по радиусу кристалла. Изобретение позволяет улучшить структурное совершенство и однородность монокристаллов парателлурита и изготавливаемых из них элементов оптических и акустооптических устройств. 2 ил., 2 пр.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов из расплава способом Чохральского. Выращивание кристалла радиусом r сначала осуществляют способом Чохральского путем вытягивания из неподвижного тигля радиусом R1, таким, что где ρтв - плотность кристалла, ρж - плотность расплава. Готовый кристалл отрывают от расплава и охлаждают до комнатной температуры в ростовой камере. Затем открывают ростовую камеру, извлекают из нагревателя тигель и заменяют на тигель меньшего радиуса R2, такого, что после чего закрывают камеру, поднимают температуру до температуры плавления, опускают кристалл до соприкосновения с расплавом и вновь выращивают кристалл путем его постоянного перемещения вниз. Техническим результатом является улучшение структурного совершенства выращиваемых кристаллов за счет снижения в них остаточных механических напряжений и уменьшения плотности дислокаций. 6 ил., 2 пр.

 


Наверх