Патенты автора Катин Станислав Владимирович (RU)

Изобретение относится к области радиолокационной техники и может быть использовано при построении бортовых радиолокационных станций с перестройкой несущей частоты от импульса к импульсу. Достигаемый технический результат - обеспечение оптимального приема отраженных сигналов при перестройке несущей частоты излучаемых радиоимпульсов от импульса к импульсу без предъявления требований к долговременной стабильности частотных параметров входящих устройств и при более простой практической реализации. Указанный результат достгается за счет того, что способ радиолокации с перестройкой несущей частоты от импульса к импульсу заключается в получении сигнала несущей частоты методом прямого гетеродинирования радиоимпульсов фиксированной частоты вверх по частоте на величину частоты гетеродинного сигнала и приеме отраженного сигнала методом возвратного гетеродинирования сдвигом его вниз по частоте с последующей фильтрацией отраженного сигнала на частоте радиоимпульсов фиксированной частоты частотно-избирательным устройством, при этом перестройку несущей частоты осуществляют изменением частоты гетеродинного сигнала, при прямом гетеродинировании в качестве радиоимпульсов фиксированной частоты используют отклик частотно-избирательного устройства на сверхкороткое импульсное воздействие, а после возвратного гетеродинирования фильтрацию отраженного сигнала производят этим же частотно-избирательным устройством, причем прямое и возвратное гетеродинирование осуществляют одним и тем же устройством. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение может быть применено для подавления электромагнитных помех в цепях питания постоянного тока электронных устройств ВЧ и СВЧ диапазонов. Технический результат - повышение эффективности подавления электромагнитных помех и электромагнитной экранировки фильтра в дециметровом диапазоне длин волн, а также совместимости технологии изготовления фильтра с технологией изготовления многослойной структуры модуля СВЧ. Достигается тем, что многослойная структура фильтра состоит не менее чем из одиннадцати диэлектрических слоев. На диэлектрических слоях располагаются последовательно соединенные между собой при помощи переходных отверстий не менее пяти обкладок плоских конденсаторов и не менее двух прямоугольных спиральных индуктивностей, а также четыре металлизированные плоскости, являющиеся вторыми обкладками конденсаторов. По периметру слоев выполнены металлизированные рамки, соединенные между собой и металлизированными плоскостями при помощи переходных отверстий. Рамки отделены от обкладок конденсаторов и индуктивностей зазорами. Соединенные между собой металлизированные рамки и плоскости образуют электромагнитный экран фильтра. На первом слое структуры на двух металлизированных площадках располагается не менее чем один конденсатор поверхностного монтажа, соединенный при помощи переходных отверстий с элементами фильтра. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

 


Наверх