Патенты автора Гаджимагомедов Султанахмед Ханахмедович (RU)
Изобретение относится к области электротехники, а именно к высокоэффективному способу изготовления наноструктурированных полупроводниковых материалов на основе фаз со структурой перовскита, содержащих катионы иттрия, бериллия, бария и меди с различной плотностью, необходимых для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Получение наноструктурированных терморезистивных материалов с заданной пористостью и электрическими свойствами при сравнительно низких температурах (менее 920°С) и времени менее 10 часов является техническим результатом изобретения, который достигается путем компактирования микропорошков и их обработки в течение часа при температуре 600-900°С при скорости подъема и охлаждения не выше ~5°С/мин и ~ 3°С/мин соответственно, при количественном соотношении нанопорошков от 40:60 до 60:40, полученных с технологическими замещениями бериллия на барий в соединении YВе2Сu3О7-δ, с последующим прессованием при давлении не менее 100 МПа и спеканием при температуре 900 до 920°С в течение 1÷10 часов. 3 пр., 6 ил.
Изобретение относится к способу изготовления тонкопленочных структур на основе соединений, содержащих катионы висмута и железа на поверхности наноразмерных трубок TiO2 и недодопированного YBa2Cu3O6+х (YBCO), обладающих чувствительными в зависимости от приложенного внешнего постоянного магнитного поля мемристивными свойствами, которые могут быть использованы при создании функциональных устройств электронной техники, в частности при изготовлении элементов с различными принципами записи, хранения и обработки информации, в том числе транзисторов, ячеек памяти нового поколения (сегнетоэлектрической и мемристивной) и резистивных гибридных структур, содержащих сверхпроводящие и сегнетоэлектрические слои. Сущность изобретения заключается в способе изготовления тонкопленочных структур мультиферроиков, а именно соединений со структурой перовскита, содержащих катионы висмута и железа, на поверхности наноразмерных трубок TiO2 и недодопированного YBa2Cu3O6+x (YBCO), обладающих мемристивными свойствами, чувствительными к внешнему постоянному магнитному полю, методом атомно-слоевого осаждения, заключающимся в послойном нанесении металлоорганических прекурсоров на основе висмута и железа, и последующей термообработкой в течение не более 1 ч при температурах менее 600°С. Технический результат заключается в получении пленок, обладающих мемристивными свойствами, чувствительными к приложенному внешнему постоянному магнитному полю, путем послойного нанесения металлоорганических прекурсоров на основе висмута и железа, и последующей термообработке в течение не более 1 ч и при температурах менее 600°С. 7 ил.
Изобретение относится к способу получения сверхпроводящих керамических материалов различной плотности на основе сложного оксида YBa2Cu3O7-δ, содержащего преимущественно фазу из наноструктурированных порошков, оптимально насыщенную кислородом, для изготовления компонентов электронной техники и электроэнергетики. Технический результат изобретения - разработка простого и высокоэффективного способа получения высокотемпературной сверхпроводящей керамики различной плотности, содержащей преимущественно фазу YBa2Cu3O7-δ, оптимально насыщенную кислородом. Нитраты иттрия, бария и меди смешивают и растворяют в воде в соотношении материал:вода, равном 0,03:1, добавляют концентрированную азотную кислоту до полного растворения солей и глицерин в количестве 0,5-1,5% от общего количества водного раствора нитратов, выпаривают при непрерывном помешивании до образования густой жидкости, ее вспыхивания с образованием прекурсора в виде порошка, который, в свою очередь, нагревают до температур в интервале 350°С-915°С с выдержкой при этих температурах в течение 1-20 часов для формирования соответствующего распределения размера частиц, прессуют при 50-200 МПа и спекают при 920°С в течение 0,5-5 часов. 13 пр., 39 ил.
