Патенты автора КРАССНИТЦЕР, Зигфрид (AT)
Изобретение относится к способу нанесения покрытия по меньшей мере из одного слоя TiCN на поверхность покрываемой подложки способом HiPIMS. Для осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя используют по меньшей мере одну Ti-содержащую мишень в качестве источника Ti для создания TiCN-слоя, которую распыляют в реакционной атмосфере HiPIMS-способом в камере для нанесения покрытий. Реакционная атмосфера включает по меньшей мере один инертный газ, предпочтительно аргон, и по меньшей мере газообразный азот в качестве реакционного газа. Для сокращения дефектов роста во время осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя реакционная атмосфера дополнительно включает в качестве второго реакционного газа углеродсодержащий газ, предпочтительно СН4, который используют в качестве источника углерода для создания TiCN-слоя. Во время осаждения TiCN-слоя к покрываемой подложке подводят напряжение смещения в биполярном режиме, или в качестве источника углерода для создания TiCN-слоя используют по меньшей мере одну графитовую мишень, которую распыляют в камере для нанесения покрытий с реакционной атмосферой только с газообразным азотом в качестве реакционного газа HiPIMS-способом. На Ti-содержащие мишени с помощью первого подводящего энергию устройства или первого блока питания, и на графитовые мишени с помощью второго подводящего энергию устройства или второго блока питания подают импульсы мощности. В результате получают покрытие с незначительными дефектами роста, не приводящими к потере твердости слоя или к нарастанию внутренних напряжений в слое. 8 з.п. ф-лы, 4 ил.
СЛОИ TixSi1-xN И ИХ ПОЛУЧЕНИЕ // 2674179
Изобретение относится к способу нанесения покрытия на заготовку (варианты). Выполняют покрытие, содержащее по меньшей мере один слой TixSi1-xN, где x≤0,85. Слой TixSi1-xN содержит нанокристаллы, которые имеют средний размер зерна не более 15 нм и имеют текстуру (200). Для получения покрытия применяют метод распыления. Наносят покрытие при плотности тока на поверхности распыляемой мишени выше 0,2 А/см2 и используют мишень из TixSi1-x, где x≤0,85. Между слоем TixSi1-xN и основой заготовки предусмотрен промежуточный слой с TiAlN или CrAlN. 5 н. и 9 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к системе центрирования пластины, которая имеет пластину с держателем, в которой пластина центруется в держателе как при комнатной температуре, так и при более высоких температурах, независимо от теплового расширения пластины и держателя, и пластина может свободно расширяться в держателе при более высоких температурах. Изобретение относится в частности к мишени, имеющей рамочное крепление мишени, которое очень хорошо подходит для использования в источнике покрытия для покрытия мишени импульсным магнетронным распылением большой мощности. Технический результат - предотвращение разрушения мишени под воздействием гидростатического давления в охлаждающем трубопроводе. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил.
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ИОННО-ДУГОВОЕ НАПЫЛЕНИЕ // 2634101
Изобретение относится к способу нанесения покрытия при электродуговом напылении или ионно-дуговом напылении на подложки в вакуумной камере. Испаряют твердый материал дугового испарителя, который работает в качестве катода. Во время дугового испарения ускоряют движение катодного пятна на поверхности твердого материала при помощи магнитного поля во избежание выброса большого количества макрочастиц или капель с поверхности твердого материала. В потоке от дугового испарителя с катода на анод образуются отрицательно заряженные частицы, которые перемещают от катода к аноду, что в основном не вызывает дополнительного возрастания абсолютного значения разности потенциалов между катодом и анодом, что делает возможным меньший шаг прироста температуры подложки при напылении. 9 з.п. ф-лы, 9 ил, 2 пр., 1 табл.
СЛОИ HIPIMS // 2633672
Изобретение относится к способу осаждения систем слоев PVD из газовой фазы с помощью напыления по меньшей мере на одну подложку. К подложке прикладывают напряжение смещения и осаждают по меньшей мере один первый слой HIPIMS и один второй слой HIPIMS с помощью метода HIPIMS. Используют по меньшей мере два частичных катода, выполненных с возможностью использования при плотностях мощности, составляющих 250 Вт/см2 и выше, и длинах импульсов по меньшей мере 5 мс и более. Для осаждения одного из по меньшей мере двух слоев HIPIMS используют плотность мощности, составляющую по меньшей мере 250 Вт/см2, и длину импульсов по меньшей мере 5 мс. Для осаждения другого слоя HIPIMS используют плотность мощности, составляющую по меньшей мере 250 Вт/см2, и длину импульсов с более короткой длительностью. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Настоящее изобретение относится к покрытию из (Al,Ti)N, подложке с данным покрытием и к способу нанесения упомянутого покрытия методом физического осаждения из газовой фазы (PVD) и может быть использовано для покрытия деталей машин и инструментов. Покрытие из (Al,Ti)N имеет две разные части покрытия А и В с разным нанометровым размером зерна, при этом часть В покрытия нанесена на часть А покрытия, а часть А покрытия имеет размер зерна, gzA, по меньшей мере в 1,25 раза больший, чем размер зерна, gzB, части В покрытия и более высокий модуль упругости, чем часть В покрытия. Подложка по меньшей мере частично имеет упомянутое покрытие из (Al,Ti)N. При осуществлении способа нанесения указанного покрытия часть А покрытия наносят с использованием плазмы, имеющей более низкую электронную температуру и/или более низкую ионизацию реакционноспособного газа по сравнению с плазмой, которую используют во время нанесения части В покрытия. Обеспечивается покрытие для высококачественных режущих инструментов, обеспечивающее улучшенные трибологические свойства поверхностей, подвергаемых трибологическому контакту, такие как твердость, износостойкость, стойкость к окислению, улучшенные режущие характеристики и более высокая производительность по сравнению с известным из уровня техники режущим инструментом. 4 н. и 17з.п. ф-лы, 3 ил.
СВЕРЛО С ПОКРЫТИЕМ // 2618292
Группа изобретений относится к нанесению покрытий на подложки и может быть использовано для нанесения покрытий на поверхности инструментов и деталей. Сверло с покрытием, которое выполнено по меньшей мере на сверлильной головке сверла и имеет по меньшей мере один слой, нанесенный магнетронным распылением импульсами высокой мощности (HIPIMS-слой), который нанесен непосредственно на корпус сверла. HIPIMS-слой имеет по меньшей мере один слой по меньшей мере из одного нитрида, и/или карбида, и/или оксида. На HIPIMS-слое предусмотрен слой из аморфного углерода или углеродсодержащий слой (DLC-слой). Слой из аморфного углерода или DLC-слой предусмотрен на HIPIMS-слое в форме металлсодержащего DLC-слоя, при этом содержание металла в DLC-слое постепенно сокращается по направлению к поверхности. Слои получаются плотными и однородными, имеют хорошее сцепление с незначительной шероховатостью поверхности. Увеличивается срок службы инструментов с таким покрытием. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к способу и установке для магнетронного распыления материала с поверхности мишени с обеспечением большей процентной доли распыленного материала в форме ионов. Создают плазменный разряд с плотностью тока разряда свыше 0,2 А/см. Используют по меньшей мере два магнетронных источника распыляемого материала с предварительно заданной допустимой температурой нагрева и предварительно заданной зоной распыления. Используют блок энергоснабжения, включающий в себя по меньшей мере два генератора, которые связаны друг с другом в Master-Slave-конфигурации. Выходы упомянутых генераторов подключают параллельно, и ведомые генераторы связывают с ведущим генератором посредством системы управления. Мощность подаваемой энергии регулируют на ведущем генераторе. На второй источник подают мощность от соответствующего генератора после отключения подачи мощности на первый источник. На протяжении времени отключения распыляемая мишень имеет возможность для охлаждения, так что ее температурный предел не превышается. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил.
