Патенты автора Холмогоров Вадим Владимирович (RU)

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к технике СВЧ, и предназначено для создания полосно-заграждающих фильтров дециметрового диапазона частот на основе диэлектрических резонаторов. Полосно-заграждающий фильтр содержит экранированную коаксиальную линию, ограниченную на концах переходами, служащими для подключения к тракту, n дисковых диэлектрических резонаторов, каждый из которых установлен осесимметрично на цилиндрической диэлектрической подставке в полой металлической цилиндрической секции. Цилиндрическая секция ограничена с одной стороны пластиной основания, а с другой стороны металлической крышкой с винтом частотной настройки, выполненным с возможностью осевого перемещения. Коаксиальная линия снабжена проводниками шлейфов, подключенными к ее внутреннему проводнику через расстояния в одну четверть длины волны, и каждый из проводников шлейфов продлен внутрь полости цилиндрической секции в виде петли связи. Петля связи выполнена в виде дуги, обращенной в сторону боковой поверхности дискового диэлектрического резонатор так, что конец проводника петли связи введен в дополнительное отверстие, выполненное в стенке цилиндрической секции, с возможностью перемещения проводника петли связи с последующим креплением конца проводника петли связи в стенке цилиндрической секции, например пайкой. Дисковые диэлектрические резонаторы установлены, например, по порядку звеньев 1-2-3 трехзвенного полосно-заграждающего фильтра и настроены на наименьшую, наибольшую и среднюю по значению резонансные частоты соответственно, а каждый дисковый диэлектрический резонатор, изготовленный из высокопроницаемого диэлектрического материала, имеет U-образную характеристику температурного коэффициента частоты при относительных уходах резонансной частоты рабочего типа колебаний дискового диэлектрического резонатора с минимумом значения температурного коэффициента частоты в области нормальной температуры. Высота цилиндрической подставки выбрана в пределах 0,85-1,35 от высоты дискового диэлектрического резонатора при отношении его собственной высоты к диаметру в пределах 0,4-0,5. Винт частотной перестройки выполнен из металла с величиной коэффициента температурного линейного расширения, отличной от величины коэффициента температурного линейного расширения металла цилиндрической секции и крышки, на которой он установлен. Изобретение обеспечивает улучшение стабильности электрических характеристик полосно-заграждающих фильтров за счет повышения термостабильности и упрощения настройки фильтра. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к технике СВЧ, и предназначено для создания полосно-заграждающих фильтров на основе диэлектрических резонаторов преимущественно в дециметровом диапазоне длин волн. Техническим результатом является уменьшение электрической длины, повышение избирательности и улучшение стабильности электрических характеристик фильтра повышенной мощности. Сущность изобретения: отличительной особенностью изобретения является то, что полосно-заграждающий фильтр снабжен полыми цилиндрическими секциями, установленными поочередно с противоположных сторон относительно линии передачи через расстояния в одну четверть волны (λ/4). В каждой полой цилиндрической секции установлен дисковый диэлектрический резонатор (ДР), закрепленный между основной и дополнительно введенной диэлектрическими подставками, в дополнительной подставке выполнено отверстие, в котором установлен винт настройки. Линия передачи, выполненная в виде коаксиальной линии, снабжена проводниками шлейфов, подключенными к ее внутреннему проводнику, а каждый из проводников шлейфов продлен внутрь полости цилиндрической секции в виде петли связи, конец которой закреплен, например, пайкой на стенке цилиндрической секции. Петля связи выполнена из проводника в форме "хвоста бабочки", обращенного вогнутой стороной к дисковому ДР, а длина проводника вогнутой стороны выбрана в пределах 0,25-0,3 диаметра дискового ДР. Дисковые ДР 3 настроены в полосе заграждения на разные резонансные частоты, а соотношение толщин ДР и диэлектрических подставок 4,5 выбрано в пределах , где εп<<εр - диэлектрические проницаемости, а Нп, Нр - толщины подставок 4, 5 и ДР 3 соответственно. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

 


Наверх