Патенты автора Мясоедова Татьяна Николаевна (RU)

Изобретение относится к аналитической химии, а именно количественному анализу определения гуминовых веществ в водных средах и может быть использовано при экологическом мониторинге питьевых, природных и сточных вод. Способ определения водорастворимых гуминовых веществ в водных средах путем спектрофотометрирования включает использования коллоидного раствора оксида меди (I), в качестве комплексообразующего агента, который добавляют к анализируемой пробе и проводят измерение оптической плотности раствора при максимуме поглощения λ=260-266 нм с использованием калибровочного графика. Техническим результатом является упрощение процесса определения водорастворимых гуминовых веществ в водных средах и сокращение времени анализа. 2 табл., 2 пр., 3 ил.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в технологии тонкопленочной микроэлектроники для получения химически, механически, коррозионно- и термостойких покрытий с заданными электрическими и/или магнитными, и/или прочностными свойствами. Способ включает формирование кремний-углеродной пленки методом электрохимического осаждения из электролита, состоящего из гексаметилдисилазана в метиловом или этиловом спирте и соли переходного металла, на электропроводящую подложку с ранее осажденной электрохимическим методом кремний-углеродной пленкой, расположенной на катоде, на который относительно анода подают напряжение до 200 В с плотностью тока до 50 мА/см2. Технический результат: получение легированной атомами переходных металлов кремний-углеродной пленки, имеющей фазы карбида кремния и оксидов переходных металлов, обладающей заданными электрическими и прочностными свойствами, химической, механической, коррозионной и термостойкостью на любых электропроводящих материалах. Данный способ технически прост, позволяет сократить время на процессы изготовления устройств, основанных на металлсодержащих кремний-углеродных пленках.
Изобретение относится к области технологий получения кремний-углеродных пленок, с помощью гальванических процессов, на диэлектрических материалах и может быть использовано для производства устройств газовой сенсорики, автоэмиссионных электродов и электродов суперконденсаторов. Способ включает электрохимическое осаждение кремний-углеродных пленок из органического кремний- и углеродсодержащего электролита, состоящего из гексаметилдисилазана в метиловом или этиловом спирте, на подложку, расположенную на катоде, на который относительно анода подают напряжение до 600 В с плотностью тока до 70 мА/см2, при этом устанавливают расстояние между катодом и анодом до 1 см и получают кремний-углеродную пленку, имеющую фазу карбида кремния SiС, при этом на диэлектрической подложке из слоя электропроводящего материала формируют топологию в виде набора электропроводящих площадок различной геометрической формы с зазором между ними до 200 мкм, в котором происходит осаждение кремний-углеродных пленок и их непосредственный контакт с поверхностью диэлектрической подложки, при этом формируют структуру типа «кремний-углеродная пленка - диэлектрик». Полученные пленки обладают химической, механической и температурной стойкостью, толщина пленок зависит от времени осаждения и объема электролита. Данный метод технически прост, для его реализации не требуется сложное технологическое оборудование и высококвалифицированный персонал.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в области микроэлектроники для создания устройств, в частности автоэмиссионных электродов, ионисторов, газовых сенсоров. Способ включает осаждение кремний-углеродной пленки из органического кремний и углеродсодержащего прекурсора электрохимическим методом, при этом кремний-углеродную пленку формируют электроосаждением из прекурсора, состоящего из гексаметилдисилазана в метиловом или этиловом спирте, на электропроводящую подложку, расположенную на катоде, на который относительно анода подают напряжение до 600 В с плотностью тока до 70 мА/см2, а расстояние между катодом и анодом устанавливают до 1 см. Технический результат: получение кремний-углеродных пленок, имеющих фазу карбида кремния SiC и обладающих химической и механической стойкостью на любых электропроводящих материалах.
Изобретение относится к способу получения полианилина, допированного металлом, который может быть использован в электронной технике для изготовления датчиков газовых сред, электродов конденсаторов и т.д. Способ заключается в том, что вначале готовят реакционную смесь: окислитель растворяют в чистом растворителе, добавляют допант с концентрацией 0,1-0,5 моль/дм3. Далее при перемешивании добавляют по каплям анилиновый мономер. В полученную реакционную смесь помещают стеклянную подложку. Затем проводят полимеризацию в течение 40-60 часов при температуре 30°C. Во время полимеризации происходит осаждение полианилина на подложку. В качестве допанта используют соль металлов, которую выбирают из группы, включающей хлорид меди (II), оксихлорид циркония (IV), хлорид олова (II). Изобретение позволяет упростить способ получения полианилина на подложке в процессе полимеризации. 3 пр.

 


Наверх