Группа изобретений относится к защитному элементу на основе скрытого магнитного микроструктурного образования, используемого для контроля подлинности защищенной продукции, и способу защиты изделий от подделки с помощью агента подлинности, в качестве которого используют указанный защитный элемент. Защитный элемент представляет собой сформированное микроструктурное образование, состоящее из магнитных частиц, и выполнен на основе скрытых магнитных частиц размером 10-100 мкм, толщиной от 1 до 10 мкм, расстоянием между частицами в пределах размеров соответствующих магнитных частиц и средним числом частиц на 1 см2 защитного элемента более 1000 единиц. При этом указанные частицы образуют магнитооптические изображения. Способ защиты изделий от подделки характеризуется использованием магнитоактивного агента подлинности. Магнитоактивный агент размещают скрыто в приповерхностный слой защищаемого изделия в хаотичном и/или регулярном расположении, при этом в качестве агента используют защитный элемент, в котором магнитные частицы имеют размеры 10-100 мкм, при толщине от 1 до 10 мкм, с расстоянием между частицами в пределах размеров частиц и средним числом частиц на 1 см2 защитного элемента более 1000 единиц, при этом определение подлинности изделий осуществляют с помощью магнитооптического визуализатора. Технический результат заключается в повышении степени защищенности от подделки и стойкости к внешним воздействиям. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 пр., 8 ил.
Изобретение относится к способу магнетронного напыления многослойного равнотолщинного покрытия и установке для его осуществления и может быть использовано для получения оптических покрытий на поверхности оптических подложек. Последовательное нанесение на плоскую поверхность детали двух слоев с комплементарными профилями и получение равнотолщинного покрытия осуществляют в вакуумной камере с карусельным планетарным механизмом посредством магнетронной системы. Система содержит два магнетрона с мишенями, симметрично и наклонно расположенными к фронтальной плоскости вакуумной камеры и обращенными своими мишенями в сторону карусельного планетарного механизма, и единичный магнетрон с мишенью. Один слой покрытия напыляют симметричным выпуклым посредством единичного магнетрона, осуществляя реверсивное синхронное вращение внутреннего зубчатого колеса и водила упомянутого планетарного механизма в одну сторону и реверсивное вращение сателлита синхронно в противоположную сторону в одних расчетных диапазонах углов поворота водила и внутреннего зубчатого колеса. Сателлит вращают с угловой скоростью по абсолютной величине меньшей, чем угловая скорость вращения водила. Второй слой покрытия напыляют симметричным вогнутым посредством двух магнетронов дуальной системы, осуществляя реверсивное вращение внутреннего зубчатого колеса и водила синхронно в одну сторону и реверсивное вращение сателлита синхронно в ту же сторону в расчетных диапазонах углов поворота, отличных от углов поворота водила и внутреннего зубчатого колеса при выполнении первого слоя покрытия. Сателлит вращают с угловой скоростью по абсолютной величине большей, чем угловая скорость вращения водила. Получают покрытие с высокой степенью точности, при этом отклонение его толщины от теоретически рассчитанной составляет 0,1 нм. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 пр.